これまでは,電子を古典力学に従って運動する粒子として扱い,デバイスを連続体として扱うという枠組みの中で,半導体MOSトランジスタの設計・解析が行われてきました.しかし,極めて微細なデバイスのシミュレーションにおいては,電子が量子力学に従って運動するという量子性や,デバイスが原子から構成されているという原子論的な効果を無視することができません.そこで,本研究室では,原子論的な量子輸送計算に基づく,デバイス創成シミュレータの開発を行なっています.スーパーコンピュータ富岳などの大規模な計算機で動作させることを目標にしています.