日時 | 2019年4月9日(火) | 14:00〜15:00 | 場所 | 大阪大学・吹田キャンパス | 電気系E3棟2階 会議室B E3-215 |
Atomically thin two-dimensional (2D) transition metal dichalcogenides (TMDCs), have provided researchers a fertile ground for harvesting fundamental science and emergent applications. Their extra ordinary fundamental properties such as direct bandgap, strong optical absorption, ultrafast charge transfer and high carrier mobility make them suitable for novel applications in optoelectronics such as fast response photodetectors, quantum light-emitting diodes and photovoltaics. To realize the highly efficient functional devices based on the TMDC monolayers, it is also important to develop a strategy to tune the band gaps. The development of 2D heterostructures offers a nearly infinite number of potential combinations for tuning electronic, optical and structural properties of the final materials. In addition to that, heterostructures in optoelectronic device applications are advantageous for efficient carrier injection or separation. The 2D materials naturally contain several types of structural defects such as vacancies, surfaces or interfaces. Defects present in the 2D materials can also increase to relax bond strain when considering the possible combinations of stacking of different material layers. Defects can be used extensively to control and tailor the properties of the 2D materials for a variety of applications. In this presentation, I will discuss about the point defects in bulk MoS2, their relative stability and influence on the optical properties. Possible techniques to control the electronic and optical properties of monolayer TMDC materials and related heterostructures will also be discussed qualitatively by ab initio calculations.
日時 | 2018年7月30日(月) | 13:30〜15:30 | 場所 | 大阪大学・吹田キャンパス | 電気系E3棟2階 会議室B E3-215 |
Optical sensors for mid-infrared spectroscopy are widely used in industrial and environmental monitoring as well as medical and biochemical diagnostics. A sensor concept, based on a bi-functional quantum cascade heterostructure, for which the differentiation between laser and detector is eliminated, enables mutual commutation of laser and detector, simplifies remote sensing setups and facilitates a crucial miniaturization of sensing devices.
Liquid sensing utilizing bi-functional quantum cascade lasers/detectors (QCLDs) can be realized on a single chip. A QCL active region design with an additional detection capability at the laser emission wavelength allows a straightforward integration, where different parts of the chip are used for lasers and others for detectors. The performance of such bi-functional designs has been optimized to reach a similar laser performance as conventional QCLs, allowing for high duty cycle operation at room temperature.
Typical analyte interaction lengths for gas sensing are in the range of tens of centimeters or more and exceed the common semiconductor chip sizes. Our gas sensing approach incorporates surface-active lasers and detectors. The latest demonstrator consists of two concentric ring QCLDs with second order distributed feedback (DFB) gratings on top of the waveguides. These DFB gratings facilitate vertical light emission and detection in the biased lasing and unbiased detector configuration, respectively. The two rings emit at two different wavelengths, which provides room temperature lasing and detection of two wavelengths monolithically integrated on the same chip.
Erich Gornik received his Ph.D. degree in Physics in 1972. He was a Postdoctoral Fellow at Bell Laboratories, Holmdel, USA, from 1975 to1977. In 1979, he has been appointed Professor for Experimental Physics at the University of Innsbruck. In 1988, he became Professor for Semiconductor Physics and Director at the Walter Schottky Institute of the Technical University Munich. From 1993 until 2012, he was Full Professor for Semiconductor Electronics and Director of the Micro-and Nanostructure Center (ZMNS) at the Technical University of Vienna and since then he is emeritus Professor. From 2003 to 2008 he was managing director of the Austrian Research Centers.
He has spent several Research Professorships at numerous international research institutions and has received various awards; among others, he is Fellow of the American Physical Society since 1995. In 1997 he received the “Wittgenstein Preis” of the Austrian Government and in 2000 the “Erwin Schrödinger Preis” of the Austrian Academy of Science. He has supervised more than 150 Master and PhD students. Further achievements are 540-refereed publications, 90 invited and plenary lectures at international conferences.
日時 | 2018年6月11日(月) | 14:40〜16:10 | 場所 | 大阪大学・吹田キャンパス | 電気系E3棟2階 会議室B E3-215 |
日時 | 2017年3月2日(木) | 13:00〜14:50 |
場所 | 大阪大学・吹田キャンパス | 電気系E3棟2階 会議室B E3-215 |
主催 | 応用物理学会関西支部 |
13:00〜13:20 | 入沢 寿史(産業技術総合研究所) |
「遷移金属ダイカルコゲナイド系原子層半導体デバイスの研究動向と課題」 | |
13:20〜13:40 | 森 伸也,黒田 龍哉(大阪大学) |
「遷移金属ダイカルコゲナイドヘテロ接合におけるバンド間トンネル電流」 | |
13:40〜14:00 | 福田 浩一(産業技術総合研究所) |
「平行電界型トンネルFETのモデリング」 | |
ー 休憩 (10分) ー | |
14:10〜14:30 | 服部 淳一(産業技術総合研究所) |
「強誘電体負性容量トランジスタのシミュレーション」 | |
14:30〜14:50 | 浅井 栄大(産業技術総合研究所) |
「Landau-Khalatnikov理論に基づくFeFETのコンパクトモデル」 |
参加費 | 無料 |
申込先 | 森 伸也 (阪大工) |
nobuya.mori(at)eei.eng.osaka-u.ac.jp | |
氏名,所属を明記の上,電子メールにてお申込み下さい. |
日時 | 2016年12月14日(水) | 15:30〜16:30 | 場所 | 大阪大学・吹田キャンパス | 電気系E3棟2階 会議室B E3-215 |
日時 | 2016年6月28日(火) | 15:00〜18:00 |
場所 | 大阪大学・吹田キャンパス | 電気系E3棟2階 会議室C E3-216 |
15:00〜15:05 | 藤野 毅 | 「藤野研究室の紹介」 |
15:05〜15:10 | 森 伸也 | 「森研究室の紹介」 |
15:10〜15:30 | 白畑 正芳 | 「センサノードGSSEの研究」 |
15:30〜15:50 | 井上 泰佑 | 「アナログ集積回路の研究」 |
15:50〜16:10 | 汐崎 充 | 「車載システムのセキュリティに関する研究」 |
16:10〜16:30 | 藤田 流星 | 「パワーデバイス用SiCのシミュレーション」 |
ー 休憩 (10分) ー | ||
16:40〜17:00 | 田中 将貴 | 「ICカードを用いた公開鍵暗号に対するサイドチャネル攻撃」 |
17:00〜17:20 | 南谷 夏海 | 「イメージセンサのシミュレーション」 |
17:20〜17:40 | 名倉 優輝 | 「CMOSイメージセンサの製造ばらつきを用いたPUF技術の基本検討」 |
17:40〜18:00 | 小池 慎治 | 「モンテカルロ法による半導体中の熱電特性解析」 |
GSSE: Green Smart Secure Eyes, PUF: Physical Unclonable Function
日時 | 2016年1月29日(金) | 14:30〜16:30 |
場所 | 大阪大学・吹田キャンパス | 電気系E3棟2階 会議室B E3-215 |
主催 | 応用物理学会関西支部 |
14:30〜14:50 | 西村 正(大阪大学) |
「ワイドギャップ半導体パワーデバイスとシミュレーション技術」 | |
14:50〜15:40 | 児玉 和樹(福井大学) |
「窒化物半導体電子デバイスの研究開発に向けたシミュレーションの利用」 | |
15:40〜16:30 | 上野 弘明(パナソニック) |
「ノーマリオフGaNトランジスタの開発とパワエレ統合設計に向けたその動的挙動モデル」 |
参加費 | 無料 |
申込先 | 森 伸也 (阪大工) |
nobuya.mori(at)eei.eng.osaka-u.ac.jp | |
氏名,所属を明記の上,電子メールにてお申込み下さい. |
日時 | 2015年11月4日(水) | 16:20〜17:20 |
場所 | 大阪大学・吹田キャンパス | 電気系E3棟2階 会議室C E3-216 |
日時 | 2015年7月24日(金) | 14:30〜16:30 | 場所 | 大阪大学・吹田キャンパス | 電気系E3棟2階 会議室B E3-215 |