| 2001年11月7日 | ||
| 江崎 達也 | NECラボラトリ | ゲート長10nmオーダのMOSFETにおける量子輸送シミュレーション技術 |
| 澤木 宣彦 | 名古屋大学 | 半導体における量子伝導現象 |
| 2002年3月18日 | ||
| 正木 和夫 | 阿南工業高等専門学校 | 6H-(0001)SiCの反転層内の移動度 |
| 上野 弘明 | 広島大学 | サブ100nm-MOSFETの量子効果とその影響 |
| 2003年1月16日 | ||
| 尾崎 俊二 | 群馬大学 | 空孔化合物半導体の光学特性 |
| Mohamed Henini | University of Nottingham | Self-assembled Quantum Dots: Physics and Apllications |
| 2003年3月25日 | ||
| 鎌倉 良成 | 大阪大学 | フルバンドモンテカルロ法によるひずみシリコンMOSFETの反転層ホール輸送解析 |
| 上野 修一 | 三菱電機 | フラッシュ以降の新規不揮発性メモリ |
| 2003年12月17日 | ||
| 松田 和典 | 鳴門教育大学 | シリコン電子物性の歪み効果 |
| 宇野 重康 | 日立ケンブリッジ研究所 | 量子ドット系からの電子放出現象 |
| 2004年3月22日 | ||
| 檜原 弘樹 | NEC東芝スペースシステム | 宇宙空間では何故LSIが誤動作するのか？ |
| 2005年3月1日 | ||
| 竹田 裕 | 大阪大学 | 量子輸送シミュレータによる極微細MOSFETの特性解析 |
| 森谷 明弘 | 島根大学 | 分光エリプソメトリによるSiのプラズマ損傷表面の評価 |
| 2005年3月14日 | ||
| Laurence Eaves | University of Nottingham | Dilute Nitride Semiconductors: Exploring A Remarkable Electronic Band Structure |
| 2005年12月16日 | ||
| 園田 賢一郎 | ルネサステクノロジ | フラッシュメモリセルのコンパクトモデル |
| 江崎 達也 | 広島大学 | アナログRF用MOSFETモデルHiSIM2 |
| 2007年3月9日 | ||
| 宇野 重康 | 名古屋大学 | 自立シリコン量子細線における電子フォノン相互作用 |
| Gennady Mil'nikov | 大阪大学 | 量子輸送シミュレーションのための新しい基底展開法 |
| 2008年3月31日 | ||
| 森 伸也 | 大阪大学 | モンテカルロシミュレーションの基礎 |
| 山川 真弥 | ソニー | GaNフルバンドモンテカルロシミュレーションとデバイスモデリングへの応用 |
| 2008年9月29日 | ||
| 原口 雅宣 | 徳島大学 | 表面プラズモンポラリトンの特性とその応用 |
| 尾島 正禎 | 大阪大学 | コレステリックブルー相発現温度範囲に及ぼす三次元ネットワークの影響 |
| 2010年3月12日 | ||
| 石川 史太郎 | 大阪大学 | 希釈窒化物半導体分子線エピタキシー成長：高品質化，変調ドープ，微細素子応用への試み |
| 金 甫根 | 大阪大学 | GaGdNにおけるプレーナホール効果を用いた磁気特性評価 |
| 寺井 慶和 | 大阪大学 | 変調分光法による鉄シリサイド半導体のバンド構造評価 |
| 久保 等 | 大阪大学 | GCOEプログラム：次世代電子デバイス教育研究開発拠点共通測定室の役割 |
| 2011年3月11日 | ||
| 森岡 直也 | 京都大学 | 原子軌道に基づいたシリコンナノワイヤの価電子帯構造の解析とその理解 |
| 三成 英樹 | 大阪大学 | 原子位置ゆらぎを考慮したシリコンナノワイヤにおけるキャリア輸送シミュレーション |
| 相馬 聡文 | 神戸大学 | 原子スケールシミュレーションによる半導体スピントロニクス素子の探索 |
| 伊藤 博介 | 関西大学 | 強磁性金属／半導体接合における電子状態・スピン注入の計算 |
| 2012年3月27日 | ||
| 植松 真司 | 慶應義塾大学 | TCADアカデミック委員会の紹介 |
| 小金丸 正明 | 福岡県工業技術センター | HyENEXSSを用いたN型半導体における機械的応力効果のシミュレーション |
| 鎌倉 良成 | 大阪大学 | NOR型コンタクトレスフラッシュメモリの誤書き込み機構に関するデバイスシミュレータを用いた考察 |
| 初井 宇記 | 理化学研究所 | SACLAにおけるＸ線自由電子レーザー科学と半導体検出器設計の果たす役割 |
| 2013年3月13日 | ||
| 服部 淳一 | 立命館大学 | Si量子細線におけるフォノン熱輸送に与える不純物の影響 |
| 中村 芳明 | 大阪大学 | ナノドットを用いたSi熱電材料の開発 |
| 池田 浩也 | 静岡大学 | シリコンナノ構造の熱電変換特性と測定技術の構築 |
| 内田 建 | 慶應義塾大学 | シリコンナノデバイスの熱配慮設計 |
| 2014年3月14日 | ||
| 久木田 健太郎 | 大阪大学 | モンテカルロ法による半導体中の熱輸送シミュレーション |
| 木場 隼介 | 神戸大学 | モンテカルロシミュレーションによるnMOSFETの量子輸送解析 |
| 鍾 菁廣 | 大阪大学 | 量子エネルギー輸送モデルを用いたSiと高移動度材料をもつMOSFETのシミュレーション研究 |
| 2015年3月23日 | ||
| 森 伸也 | 大阪大学 | モンテカルロシミュレーションの基礎 |
| 鎌倉 良成 | 大阪大学 | フルバンドモンテカルロ法によるホットキャリア輸送解析―シリコン，ダイヤモンド，その他― |
| 小谷 岳生 | 鳥取大学 | 高精度第一原理計算手法(QSGW法)によるデバイスシミュレーション用パラメーターの決定について |
| 2016年1月29日 | ||
| 西村 正 | 大阪大学 | ワイドギャップ半導体パワーデバイスとシミュレーション技術 |
| 児玉 和樹 | 福井大学 | 窒化物半導体電子デバイスの研究開発に向けたシミュレーションの利用 |
| 上野 弘明 | パナソニック | ノーマリオフGaNトランジスタの開発とパワエレ統合設計に向けたその動的挙動モデル |
| 2017年3月2日 | ||
| 入沢 寿史 | 産業技術総合研究所 | 遷移金属ダイカルコゲナイド系原子層半導体デバイスの研究動向と課題 |
| 森 伸也 | 大阪大学 | 遷移金属ダイカルコゲナイドヘテロ接合におけるバンド間トンネル電流 |
| 福田 浩一 | 産業技術総合研究所 | 平行電界型トンネルFETのモデリング |
| 服部 淳一 | 産業技術総合研究所 | 強誘電体負性容量トランジスタのシミュレーション |
| 浅井 栄大 | 産業技術総合研究所 | Landau-Khalatnikov理論に基づくFeFETのコンパクトモデル |