• Home

2024

  • 遮蔽層導入によるグラフェンの移動度向上に関する論文がJapanese Journal of Applied Physicsに掲載されました (2024/05/13)

2023

  • 乱層グラフェンにおける移動度向上に関する論文がJapanese Journal of Applied Physicsに掲載されました (2024/03/14)
  • SiCのステップ・テラス構造による電子散乱に関する論文がJapanese Journal of Applied Physicsに掲載されました (2024/01/30)
  • 4H-SiC MOS反転層におけるワニエ・シュタルク局在に関する論文がJapanese Journal of Applied Physicsに掲載されました (2024/01/24)
  • 4H-SiCショットキーバリアダイオードにおけるトンネル過程に関する論文がJapanese Journal of Applied Physicsに掲載されました (2024/01/23)
  • 4H-SiCの高電界輸送シミュレーションに関する論文がMaterials Science in Semiconductor Processingに掲載されました (2024/01/19)
  • 量子ドットにおける電子状態の統計的モデルに関する論文がJapanese Journal of Applied Physicsに掲載されました (2024/01/10)
  • GaNにおける高電界輸送特性に歪が与える影響に関する論文がJapanese Journal of Applied Physicsに掲載されました (2024/1/05)
  • 界面ラフネスを有する半導体ナノシートにおける平均自由行程の数値計算に関する論文がApplied Physics Expressに掲載されました (2023/9/15)
  • 量子論デバイスシミュレータに関する論文がJournal of Computational Electronicsに掲載されました (2023/6/20)
  • ゲルマニウムのピエゾ抵抗効果に関する論文がApplied Physics Expressに掲載されました (2023/4/18)

2022

  • 美里劫夏南さんが令和4年度末でご退職されました (2023/3/31)
  • 田中助教が英国物理学会のOutstanding Reviewer Awardsを受賞しました (2023/3/30)
  • 田淵君が楠本賞・工学賞を受賞しました (2023/3/23)
  • 田中助教が応用物理学会論文奨励賞を受賞しました (2023/3/16)
  • 歪み窒化ガリウムの電子状態に関する論文がJapanese Journal of Applied Physicsに掲載されました (2023/2/24)
  • 量子論デバイスシミュレータに関する論文をJournal of Computational Electronicsに投稿しました (2023/2/10)
  • ナノワイヤにおけるバンド間トンネルの等価モデルに関する論文がJapanese Journal of Applied Physicsに掲載されました (2023/2/9)
  • 4H-SiCショットキーバリアダイオードのトンネル電流に関する論文がJapanese Journal of Applied Physicsに掲載されました (2023/1/31)
  • ワイドバンドギャップ半導体における高電界輸送解析に関する論文がJournal of Applied Physicsに掲載されました (2022/6/9)
  • 量子ハイブリッド系における電子・フォノン量子輸送シミュレーションに関する解説論文が出版されました (2022/5/4)

2021

  • 永溝君が菅田-Cohen賞を受賞しました (2022/3/24)
  • 田中助教が応用物理学会シリコンテクノロジー分科会研究奨励賞を受賞しました (2022/3/23)
  • 2次元物質における層間トンネルの解析モデルに関する論文がJapanese Journal of Applied Physicsに掲載されました (2022/2/11)
  • 永溝君がIMFEDK最優秀論文賞を受賞しました (2021/11/19)
  • バンド間トンネルを記述する等価モデルに関する論文がJapanese Journal of Applied Physicsに掲載されました (2021/9/3)
  • フォノンの異常拡散に関する論文がAPL Materialsに掲載されました (2021/8/13)
  • 基板上のグラフェン特性を緻密にあやつる−電界の影響で半導体にも金属にも− (2021/6/9)
  • 乱層グラフェンに関する論文がScientific Reportsに掲載されました (2021/5/13)

2020

  • 種々の単層2次元物質におけるバンド間トンネルに関する論文がJapanese Journal of Applied Physicsに掲載されました (2021/2/3)
  • TensorFlowを利用した等価モデル構築法に関する論文がJapanese Journal of Applied Physicsに掲載されました (2021/1/15)
  • IV族熱電変換素子の性能向上に関する論文がApplied Physics Lettersに掲載されました (2020/10/5)
  • 「富岳」成果創出加速プログラム「省エネルギー次世代半導体デバイス開発のための量子論マルチシミュレーション」のWEBページが公開されました (2020/9/11)
  • 乱れた2次元系の古典ホール効果に関する論文がSemiconductor Science and Technologyに掲載されました (2020/7/29)
  • 橋本君が博士の学位を取得しました.博士論文題名「2次元材料結合系の電子状態および量子輸送解析に関する研究」 (2020/4/30)
  • ファンデルワールスヘテロ接合におけるバンド間トンネルに関する論文がJournal of Physics D: Applied Physicsに掲載されました (2020/4/27)
  • 赤外線検出器の暗電流に関する論文がJapanese Journal of Applied Physicsに掲載されました (2020/4/6)
  • 科学研究費・基盤研究(A)「2次元物質ヘテロ構造の電子・フォノン連成シミュレーション」が開始します (2020/4/1)

2019

  • 広い禁止帯を持つ半導体における衝突電離過程に関する論文がApplied Physics Expressに掲載されました (2020/3/30)
  • 熱電変換効率向上に関する論文が第4回薄膜・表面物理分科会 論文賞を受賞しました (2020/3/9)
  • 4H-SiC MOSFETの散乱機構およびホール移動度に関する論文がJapanese Journal of Applied Physicsに掲載されました (2020/3/3)
  • BP/InSe FETに関する論文がAdvanced Functional Materialsに掲載されました (2020/2/16)
  • 第一原理デバイスシミュレーションに関する記事がサイバーメディアHPCジャーナルに掲載されました (2020/1/22)
  • 熱電素子の性能向上に関する論文がACS Applied Energy Materialsに掲載されました (2019/12/30)
  • Yenさんが博士の学位を取得しました (2019/9/25)
  • タイプII超格子赤外検出器に関する論文がJapanese Journal of Applied Physicsに掲載されました (2019/7/11)
  • 散乱内電界効果に関する論文がJapanese Journal of Applied Physicsに掲載されました (2019/5/20)
  • 電子・フォノン連成シミュレーションに関する論文がJapanese Journal of Applied Physicsに掲載されました (2019/5/16)
  • InN/GaNデジタル合金HEMTに関する論文がJapanese Journal of Applied Physicsに掲載されました (2019/5/14)
  • Siナノ構造における熱電性能向上に関する論文がMaterials Today Energyに掲載されました (2019/5/13)
  • 大阪大学 Ashim K. Saha 博士講演会を開催しました (2019/4/9)

2018

  • 赤外線検出器の暗電流に関する論文がJapanese Journal of Applied Physicsに掲載されました (2019/3/19)
  • グラフェンナノリボンにおけるフォノンの異常拡散に関する記事が掲載されました (2018/12/3)
  • ナノワイヤ埋め込み構造による熱電性能向上に関する論文がACS Applied Materials & Interfacesに掲載されました (2018/10/10)
  • ウィーン工科大学 Erich Gornik 教授講演会を開催しました (2018/7/30)
  • わずかな温度差で発電するマイクロ熱電発電素子を開発しました (2018/6/18)
  • インド工科大学 Nihar Ranjan Mohapatra 教授・Mohit D Ganeriwala 博士講演会を開催しました (2018/6/11)

2017

  • デバイスシミュレーション技術の活用と将来展望に関するシンポジウムが開催されました (2018/3/18)
  • MoS2/WS2バンド間トンネルに関する論文がJapanese Journal of Applied Physicsに掲載されました (2018/2/23)
  • InGaN HEMTの移動度計算に関する論文がJapanese Journal of Applied Physicsに掲載されました (2018/2/20)
  • 「半導体デバイスシミュレーションのコツ」基礎編,実用編が「応用物理」に掲載されました.あわせて,WEB編を公開しました. (2018/1/5)
  • 多層グラフェンナノリボンの層間輸送特性に関する論文がJournal of Physics: Conference Seriesに掲載されました (2017/10/22)
  • 半導体のプロセス,デバイスのシミュレーションに関する国際会議を開催しました (2017/9/7)
  • SiC上グラフェンの電気的光学的特性向上に関する論文が2D Materialsに掲載されました (2017/6/19)
  • 濱口智尋先生瑞宝中綬章受章祝賀会を開催しました (2017/4/8)

2016

  • クラウス・フォン・クリッツィング博士大阪大学名誉学位称号授与記念講演会が開催されました (2017/3/7)
  • 新原理トランジスタのモデリング・シミュレーションに関するセミナーを開催しました (2017/3/2)
  • 結合グラフェンナノリボンの電子状態に関する論文がJapanese Journal of Applied Physicsに掲載されました (2017/2/24)
  • CVDグラフェンの移動度向上に関する論文が2D Materialsに掲載されました (2017/2/1)
  • 弾道電子の直接還元効果を用いた半導体薄膜堆積に関する論文がMaterials Science in Semiconductor Processingに掲載されました (2017/1/5)
  • 英国ノッティンガム大学 Patanè 教授講演会を開催しました (2016/12/14)
  • 濱口智尋先生が秋の叙勲で瑞宝中綬章をご受章されました.これは先生の多年にわたる半導体物理学の教育・研究における功績と業績に対するものです.先生のご受章を心よりお喜びいたします (2016/11/3)
  • 英国ノッティンガム大学との共同研究に関する記事が掲載されました (2016/10/4)
  • 非平衡グリーン関数(NEGF)デバイスシミュレーションに関するショートコースを行いました (2016/9/26)
  • 無線送信集積回路の送信特性改善手法に関する論文がMicrowave and Optical Technology Lettersに掲載されました (2016/9/22)
  • 共鳴バンド間トンネルの論文がScientific Reportsに掲載されました (2016/8/18)
  • ランダム行列フォノンモデルの論文がJournal of Computational Electronicsに掲載されました (2016/7/21)
  • 立命館大学藤野研究室との交流会を開催しました (2016/6/28)

2015

  • 新学術領域 ハイブリッド量子科学のwebページが公開されました (2016/3/15)
  • ワイドギャップ半導体デバイスシミュレーションに関するセミナーを開催しました (2016/1/29)
  • 次世代トランジスタの量子輸送シミュレーションに関する記事が掲載されました (2016/1/7)
  • WEB OPEN CAMPUSの量子電子デバイスコースのサイトが公開されました (2015/12/14)
  • 東北大学 Philippe Gaubert 博士講演会を開催しました (2015/11/4)
  • 英国 Nottingham 大学 Patanè 教授・Greenaway 博士講演会を開催しました (2015/7/24)