2024

@si.eei.eng.osaka-u.ac.jp
教　授 森　　伸也 mori
准教授 松岡　俊匡 matsuoka
助　教 田中　一 tanaka
事務補佐員 田村　智沙 tamura
招へい教授 松田　和典 半導体のピエゾ抵抗効果に関する教育・研究 matsuda
D3 Seyed Ali Mojtahedzadeh 多層グラフェンのモンテカルロシミュレーション seyedali
岡田　丈 半導体ナノシートにおける電子移動度の数値解析 okada
永溝　幸周 経験的擬ポテンシャル法に基づく4H-SiC MOS反転層の電子状態解析 nagamizo
Jin Hyong Lim 原子論モデルを用いた乱れた量子ドットの電子状態解析 lim
D1 Erlant Khalfani TMDC vdWヘテロ構造におけるNEGFシミュレーション khalfani
M2 荒井　晟来 SiC MOS界面におけるドナー不純物による束縛電子状態の解析 arai
小林　龍弥 界面準位を考慮したSiC MOSFETの電気的特性の解析 kobayashi
田渕　祥大 2次元物質のk・p摂動法を用いたバンド計算および音響フォノン散乱制限移動度 tabuchi
李　　迅然 機械学習を利用した半導体のシミュレーション li
M1 川見　顕晋 半導体−酸化膜界面のラフネスを表現する摂動モデルの検討 kawami
高垣　凜太郎 酸化ガリウムにおける正孔輸送の理解に向けたフルバンドモンテカルロ解析 rtakagaki
高宮　匠 クーロン相互作用を考慮した高密度界面準位の電子占有状態の解析 takamiya
桃尾　和真 1次元系2電子波束の時間発展シミュレーション momoo
久保　慧人 縮退を考慮した2次元電子ガスのモンテカルロシミュレーション kubo
B4 布留　有詩 ナノシートMOSFETにおける極低温サブスレッショルド特性の解析 furu
武田　知大 takeda.t
大槻　勇介 otsuki
小川　諒 ogawa
加藤　薫 kato
皆見　鷹也 minami
宮嶋　勇丞 miyajima
聴講生 Sharafi Peyman OUSSEP特別聴講生 (10月〜) peyman
Yi-Cheng Liu 交換留学生 (10月〜) cheng

2023

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教　授 森　　伸也 mori
准教授 松岡　俊匡 matsuoka
助　教 田中　一 tanaka
事務補佐員 田村　智沙 tamura
招へい教授 松田　和典 半導体のピエゾ抵抗効果に関する教育・研究 matsuda
招へい研究員 美里劫　夏南 省エネルギー次世代半導体デバイス開発のための量子論マルチシミュレーション gena
D3 Seyed Ali Mojtahedzadeh 多層グラフェンのモンテカルロシミュレーション seyedali
D2 岡田　丈 新規等価モデルの構築とそれに基づく2次元物質トンネルトランジスタの性能予測 okada
永溝　幸周 経験的擬ポテンシャル法に基づく4H-SiC MOS反転層の電子状態解析 nagamizo
Jin Hyong Lim 原子論モデルを用いた乱れた量子ドットの電子状態解析 lim
M2 内海　慶祐 SiC MOS界面におけるステップ・テラス構造による電子散乱の理論解析 utsumi
尾曲　壮平 ピンチオフ領域を考慮した高周波動作MOSFETにおけるゲート・ソース間寄生抵抗の解析 omagari
紀野　正智 NEGF法を用いた高電界輸送特性解析 kino
倉元　俊亮 機械学習を用いた3次元モンテカルロデバイスシミュレータの開発 kuramoto
藤尾　悠眞 強束縛近似法によるSiCにおける正孔の量子閉じ込め効果の解析 fujio
宮崎　航 GaNのキャリア輸送に歪みが与える影響のフルバンドモンテカルロ法による解析 miyazaki
村上　勇徳 複素バンド構造に基づく4H-SiCにおけるトンネル電流の理論解析 murakami
Erlant Khalfani TMDC vdWヘテロ構造におけるNEGFシミュレーション khalfani
李　　迅然 機械学習を利用した半導体のシミュレーション li
M1 荒井　晟来 SiC MOS界面におけるドナー不純物による束縛電子状態の解析 arai
小林　龍弥 界面準位を考慮したSiC MOSFETの電気的特性の解析 kobayashi
田渕　祥大 2次元物質のk・p摂動法を用いたバンド計算および音響フォノン散乱制限移動度 tabuchi
B4 川見　顕晋 半導体−酸化膜界面のラフネスを表現する摂動モデルの検討 kawami
高垣　凜太郎 酸化ガリウムにおける正孔輸送の理解に向けたフルバンドモンテカルロ解析 rtakagaki
高宮　匠 クーロン相互作用を考慮した高密度界面準位の電子占有状態の解析 takamiya
桃尾　和真 1次元系2電子波束の時間発展シミュレーション momoo
久保　慧人 縮退を考慮した2次元電子ガスのモンテカルロシミュレーション kubo
布留　有詩 ナノシートMOSFETにおける極低温サブスレッショルド特性の解析 furu

2022

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教　授 森　　伸也 mori
准教授(兼) 松岡　俊匡 matsuoka
助　教 田中　一 tanaka
事務補佐員 田村　智沙 tamura
招へい教授 松田　和典 半導体のピエゾ抵抗効果に関する教育・研究 matsuda
特任研究員 美里劫　夏南 省エネルギー次世代半導体デバイス開発のための量子論マルチシミュレーション gena
D3 Seyed Ali Mojtahedzadeh 多層グラフェンのモンテカルロシミュレーション seyedali
D1 岡田　丈 新規等価モデルの構築とそれに基づく2次元物質トンネルトランジスタの性能予測 okada
永溝　幸周 経験的擬ポテンシャル法に基づく4H-SiC MOS反転層の電子状態解析 nagamizo
Jin Hyong Lim 原子論モデルを用いた乱れた量子ドットの電子状態解析 lim
M2 入田　一輝 フルバンドモンテカルロ法によるβ-Ga2O3における電子輸送の解析 irita
小笠原　一道 アンサンブルモンテカルロ法によるGaN/AlGaN HEMTの電子輸送特性解析 ogasahara
田中　文貴 SiC MOS界面における界面準位による捕獲放出過程を考慮した電子輸送のモンテカルロシミュレーション f.tanaka
M1 内海　慶祐 SiC結晶表面におけるステップ・テラス構造による電子散乱 utsumi
尾曲　壮平 高周波動作MOSFETにおけるゲート・ソース間寄生抵抗の解析 omagari
紀野　正智 原子論モデルの可視化 kino
倉元　俊亮 機械学習を用いた3次元ポアソン方程式の数値計算 kuramoto
藤尾　悠眞 強束縛近似によるSiCにおける正孔反転層の解析 fujio
宮崎　航 GaNのバンド構造にひずみが与える影響 miyazaki
村上　勇徳 4H-SiCショットキー障壁におけるトンネル電流 murakami
Erlant Khalfani khalfani
B4 荒井　晟来 SiC MOS界面におけるドナー不純物による束縛電子状態の解析 arai
小林　龍弥 界面準位を考慮したSiC MOSFETの電気的特性の解析 kobayashi
中川　宙也 グラフェンにおける波束の時間発展シミュレーション nakagawa
川見　顕晋 kawami
B3 田渕　祥大 2次元物質のk・p摂動法を用いたバンド計算および音響フォノン散乱制限移動度 tabuchi

2021

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教　授 森　　伸也 mori
准教授(兼) 松岡　俊匡 matsuoka
助　教 田中　一 tanaka
事務補佐員 田村　智沙 tamura
特任研究員 美里劫　夏南 省エネルギー次世代半導体デバイス開発のための量子論マルチシミュレーション gena
招へい研究員 白畑　正芳 半導体の特性ばらつきを活用する研究 shirahata
D2 Seyed Ali Mojtahedzadeh 多層グラフェンのモンテカルロシミュレーション seyedali
M2 猪川　発彦 高速サンプリング並列型確率的A/D変換回路のための検証システムの構築 ikawa
大久保　俊理 CMOSイメージセンサPUFにおける固有IDの多ビット化 ohkubo
國本　裕哉 ウィグナー・モンテカルロ法を用いた量子重ね合わせ状態の解析 kunimoto
駒田　敦哉 散乱過程を導入した非平衡グリーン関数法フォノン輸送シミュレータ komada
永溝　幸周 経験的擬ポテンシャル法に基づく4H-SiC MOS反転層の電子状態解析 nagamizo
Jin Hyong Lim 原子論モデルを用いた乱れた量子ドットの電子状態解析 lim
M1 入田　一輝 フルバンドモンテカルロ法による酸化ガリウムにおける電子輸送の解析 irita
小笠原　一道 窒化物半導体HEMTにおける電子輸送特性 ogasahara
岡田　丈 新規等価モデルの構築とそれに基づく2次元物質トンネルトランジスタの性能予測 okada
田中　文貴 界面準位による捕獲放出を考慮したSiC MOS界面における電子輸送のモンテカルロシミュレーション f.tanaka
李　　迅然 FPGAエミュレーションによる全デジタル・クロック・データ・リカバリ回路のビット誤り率の検証 li
Erlant Khalfani Khalfani
B4 内海　慶祐 SiC結晶表面におけるステップ・テラス構造による電子散乱 utsumi
尾曲　壮平 高周波動作MOSFETにおけるゲート・ソース間寄生抵抗の解析 omagari
倉元　俊亮 機械学習を用いた3次元ポアソン方程式の数値計算 kuramoto
鈴木　海 CMOSイメージセンサPUFの多ビット化手法及びその評価 suzuki
宮崎　航 GaNのバンド構造にひずみが与える影響 miyazaki
村上　勇徳 4H-SiCショットキー障壁におけるトンネル電流 murakami

2020

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教　授 森　　伸也 mori
准教授(兼) 松岡　俊匡 matsuoka
助　教 田中　一 tanaka
事務補佐員 中谷　文乃 nakatani
特任研究員 美里劫　夏南 省エネルギー次世代半導体デバイス開発のための量子論マルチシミュレーション gena
特別研究員 橋本　風渡 ２次元材料結合系の電子状態および量子輸送解析 hashimoto
招へい研究員 白畑　正芳 半導体の特性ばらつきを活用する研究 shirahata
D1 Seyed Ali Mojtahedzadeh 多層グラフェンのモンテカルロシミュレーション seyedali
M2 大町　武瑠 フォノン輸送モンテカルロシミュレーションを用いた熱輸送解析 ohmachi
武田　知之 2次元物質における層間バンド間トンネル電流の量子輸送解析 takeda
屋嘉部　太志 モンテカルロ法を用いたSPADの応答時間ばらつき解析 yakabe
M1 猪川　発彦 デジタル線形補正回路を搭載した並列型確率的A/D変換器の評価システムの構築 ikawa
大久保　俊理 CMOSイメージセンサPUFにおける固有ID再現性の温度・電圧依存性 ohkubo
國本　裕哉 量子もつれ状態のシミュレーション kunimoto
駒田　敦哉 非平衡グリーン関数法を用いた1次元格子の熱輸送特性解析 komada
永溝　幸周 4H-SiC MOS構造における2次元電子状態解析 nagamizo
Jin Hyong Lim 有機半導体デバイスのシミュレーション lim
B4 入田　一輝 強束縛近似法による酸化ガリウムの電子状態の解析 irita
小笠原　一道 CMOSイメージセンサPUFにおける信号処理方式 ogasahara
岡田　丈 適応モーメント推定を利用したハミルトニアンの情報圧縮 okada
紀野　正智 非平衡グリーン関数法を用いたワイドバンドギャップ半導体の高電界輸送特性解析 kino
李　　迅然 FPGAエミュレーションによる全デジタル・クロック・データ・リカバリ回路のビット誤り率の検証 li

2019

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教　授 森　　伸也 mori
准教授(兼) 松岡　俊匡 matsuoka
事務補佐員 田中　玲子 r.tanaka
特任研究員 美里劫　夏南 次世代の産業を支える新機能デバイス・高性能材料の創成に関する研究 gena
招へい教授 鎌倉　良成 kamakura
招へい研究員 白畑　正芳 CMOSイメ−ジセンサの特性ばらつきを活用する研究 shirahata
田中　一 半導体におけるキャリア輸送の理論 h.tanaka
D3 Yen Le Thi タイプII InAs/GaSb超格子を用いた赤外線検出器のシミュレーションとデザイン lethiyen
橋本　風渡 ２次元材料結合系の電子状態および量子輸送解析 hashimoto
M2 菅　　真伸 スピン軌道相互作用を考慮した半導体ナノワイヤの電子状態解析 suga
三島　嵩也 ２次元材料における層間トンネル電流の量子輸送解析 mishima
山下　大輝 モンテカルロ法を用いた微細シリコンデバイスの電子輸送解析 yamashita
吉原　拓哉 全デジタル・クロック・データ・リカバリ回路のFPGAエミュレーション yoshihara
Seyed Ali Mojtahedzadeh 多層グラフェンのモンテカルロシミュレーション seyedali
M1 大町　武瑠 フォノン輸送モンテカルロシミュレーションにおける界面散乱 ohmachi
武田　知之 隣接層間バンド間トンネル過程の非平衡グリーン関数法解析 takeda
屋嘉部　太志 フォトダイオードにおけるアバランシェ増倍現象のシミュレーション yakabe
B4 麻生　啓真 ベイズ推定を用いた同位体不純物を含むグラフェンナノリボンの構造最適化 aso
猪川　発彦 デジタル線形補正回路を搭載した並列型確率的A/D変換器の評価システムの構築 ikawa
石井　智仁 ishii
大久保　俊理 CMOSイメージセンサPUFにおける固有ID再現性の温度・電圧依存性 ohkubo
駒田　敦哉 非平衡グリーン関数法を用いた1次元格子の熱輸送特性解析 komada
辻岡　康太朗 ベイズ推定を用いた電界効果トランジスタのデバイス構造最適化 tsujioka
永溝　幸周 4H-SiC MOS構造における2次元電子状態解析 nagamizo
B3 岡田　丈 ニューラルネットワークを用いた強束縛近似ハミルトニアンの圧縮 okada
聴講生 Geng-Yang Lin FrontierLab特別聴講生 (〜8月) lin
Bradley Jason Anderson FrontierLab特別聴講生 (10月〜) anderson
Dinh Ngoc Dung 交換留学生 (2〜3月)
研究生 Son Juil

2018

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教　授 森　　伸也 mori
准教授(兼) 松岡　俊匡 matsuoka
准教授 鎌倉　良成 kamakura
事務補佐員 田中　玲子 r.tanaka
特任研究員 美里劫　夏南 次世代の産業を支える新機能デバイス・高性能材料の創成に関する研究 gena
特別研究員 田中　一 高性能パワーデバイスに向けたSiC MOS界面におけるキャリア輸送現象の理論 h.tanaka
招へい研究員 白畑　正芳 CMOSイメ−ジセンサの特性ばらつきを活用する研究 shirahata
D3 Yen Le Thi イメージセンサのシミュレーション lethiyen
D2 橋本　風渡 ２次元材料を用いたトンネルトランジスタの量子輸送特性解析 hashimoto
M2 大河戸　裕一 ダイヤモンドを用いたデバイスの耐圧シミュレーション okodo
梶原　祐磨 半導体ナノ構造における非平衡グリーン関数法を用いた電子—フォノン連成解析 kajiwara
堅田　侑汰 非平衡グリーン関数法を用いた多層グラフェンの電子輸送解析 katata
黒田　龍哉 原子層ヘテロ接合トンネルトランジスタの量子輸送シミュレーション kuroda
星野　知輝 窒化物半導体ヘテロ接合トランジスタの電子輸送シミュレーション hoshino
牧平　真太朗 散乱内電界効果を考慮した高電界電子輸送解析 makihira
丸橋　優 モンテカルロ法による半導体中の熱電輸送シミュレーション maruhashi
M1 菅　　真伸 スピン軌道相互作用を考慮した化合物半導体ナノワイヤの電子状態解析 suga
三島　嵩也 ２次元材料における層間トンネル過程の非平衡グリーン関数法解析 mishima
山下　大輝 モンテカルロデバイスシミュレーションの並列化による速度向上 yamashita
吉原　拓哉 微粒子操作チップに関する研究 yoshihara
Seyed Ali Mojtahedzadeh モンテカルロ法を用いた乱れたグラフェンの電子輸送シミュレーション seyedali
B4 麻生　啓真 aso
大町　武瑠 フォノン輸送モンテカルロシミュレーションにおける界面散乱 ohmachi
金　　成雨 ナノシートトランジスタの量子ドリフト拡散シミュレーション kim
島ノ江　修平 CMOSイメージセンサの特性ばらつきとそれを用いたセキュリティ及び乱数生成 shimanoe
武田　知之 隣接層間バンド間トンネル過程の非平衡グリーン関数法解析 takeda
土角　愛理 tsuchikado
屋嘉部　太志 フォトダイオードにおけるアバランシェ増倍現象のシミュレーション yakabe
B3 猪川　発彦 ikawa
石井　智仁 ishii
駒田　敦哉 komada
永溝　幸周 nagamizo
聴講生 Jin Hyong Lim iExPO交換留学生 lim
Geng-Yang Lin FrontierLab特別聴講生 lin

2017

@si.eei.eng.osaka-u.ac.jp
教　授 森　　伸也 mori
准教授 松岡　俊匡 matsuoka
鎌倉　良成 kamakura
事務補佐員 岩原　加代子 iwahara
特任研究員 美里劫　夏南 次世代の産業を支える新機能デバイス・高性能材料の創成に関する研究 gena
鍾　　菁廣 次世代の産業を支える新機能デバイス・高性能材料の創成に関する研究 shohiro
上岡　良季 パワー半導体新材料のデバイスシミュレーションモデル開発 ueoka
西村　正 パワー半導体新材料のデバイスシミュレーションモデル開発 nishimura
招へい研究員 白畑　正芳 CMOSイメ−ジセンサの特性ばらつきを活用する研究
D2 Yen Le Thi イメージセンサのシミュレーション lethiyen
D1 橋本　風渡 周期的に結合した２次元結晶の電子状態および輸送特性解析 hashimoto
M2 勇　　正大 FPGAエミュレーションによる並列型確率的A/D変換器のシステム構成検証 isami
桶田　修平 界面準位の影響を考慮したSiC-MOSFETの電気特性シミュレーション解析 oketa
上岡　剛士 非平衡グリーン関数法を用いた2次元格子のフォノン輸送シミュレーション kamioka
濱田　健斗 電子フォノン相互作用を考慮したシリコン微細構造の熱電特性シミュレーション hamada
藤田　流星 フルバンドモンテカルロ法を用いたバルク4H-SiC中のホットキャリア輸送解析 fujita
Milandeli Ernest Dlamini 抵抗変化型メモリのスイッチング特性 dlamini
M1 大河戸　裕一 ダイヤモンド薄膜の輸送解析 okodo
梶原　祐磨 電子ーフォノン相互作用を考慮した半導体ナノ構造の熱電特性解析 kajiwara
堅田　侑汰 非接触給電・液中微粒子操作チップのための出力信号検出技術 katata
黒田　龍哉 原子層ヘテロ構造デバイスの電子輸送特性解析 kuroda
星野　知輝 窒化物半導体ヘテロ構造トランジスタの電子輸送特性 hoshino
牧平　真太朗 ワイドギャップ半導体の衝突電離過程における散乱内電界効果 makihira
丸橋　優 モンテカルロ法によるシリコン中の熱電特性解析 maruhashi
B4 岸本　広輝 CMOSイメージセンサPUFの経年劣化 kishimoto
菅　　真伸 スピン軌道相互作用を考慮した化合物半導体ナノワイヤの電子状態解析 suga
三島　嵩也 ２次元材料における層間トンネル過程の非平衡グリー ン関数法解析 mishima
山下　大輝 モンテカルロデバイスシミュレーションの並列化による速度向上 yamashita
Seyed Ali Mojtahedzadeh モンテカルロ法を用いた乱れたグラフェンの電子輸送シミュレーション seyedali
辻岡　康太朗 tsujioka
B3 金　　成雨 kim
聴講生 Diamond Blake Kenneth FrontierLab特別聴講生 (〜8/10) diamond

2016

@si.eei.eng.osaka-u.ac.jp
教　授 森　　伸也 mori
准教授 松岡　俊匡 matsuoka
鎌倉　良成 kamakura
事務補佐員 岩原　加代子 iwahara
招へい教授 江藤　剛治 etoh
特任研究員 美里劫　夏南 次世代の産業を支える新機能デバイス・高性能材料の創成に関する研究 gena
上岡　良季 パワー半導体新材料のデバイスシミュレーションモデル開発 ueoka
西村　正 パワー半導体新材料のデバイスシミュレーションモデル開発 nishimura
黒田　隆男 マルチフレーミングカメラに関する研究（〜9/30）
招へい研究員 小谷　岳生 パワー半導体新材料のデバイスシミュレーションモデル開発
植田　昌行季 生体情報センシング集積システムの研究開発
高井　高廣 生体情報センシング集積システムの研究開発
D3 Bae Jungnam 医療生体計測用途RFトランシーバのための全デジタル制御位相同期回路 (〜9/30) bae
D2 Yen Le Thi イメージセンサのシミュレーション lethiyen
M2 浦辺　祥吾 特性ばらつきを考慮したナノワイヤトランジスタのコンパクトモデル urabe
井上　泰佑 非接触給電・液中微粒子操作チップのための電源電圧モニタリング inouet
小池　慎治 モンテカルロ法によるシリコン中の熱電特性解析 koike
小長　晃輔 第一原理計算に基づくSiCにおけるインパクトイオン化 konaga
白澤　利隆 モンテカルロシミュレーションによる抵抗変化型メモリの特性解析 shirasawa
南谷　夏海 モンテカルロシミュレーションによるイメージセンサのクロストーク解析 minamit
Milandeli Ernest Dlamini 抵抗変化型メモリのスイッチング特性 dlamini
M1 勇　　正大 遺伝的アルゴリズムを用いた無線送信集積回路の送信特性改善手法 isami
桶田　修平 ドリフト拡散シミュレータを用いたSiC-MOSFETの電気特性解析 oketa
上岡　剛士 非平衡グリーン関数法を用いた2次元格子の熱輸送シミュレーション kamioka
橋本　風渡 周期的に結合した２次元結晶の電子状態および輸送特性解析 hashimoto
濱田　健斗 モンテカルロ法を用いたシリコンの熱電特性シミュレーション hamada
藤田　流星 フルバンドモンテカルロ法を用いた4H-SiCのホットキャリア輸送解析 fujita
B4 梶原　祐磨 電子ーフォノン相互作用を考慮した半導体ナノ構造の熱電特性解析 kajiwara
堅田　侑汰 非接触給電・液中微粒子操作チップのための出力信号検出技術 katata
黒田　龍哉 原子層ヘテロ構造デバイスの電子輸送特性解析 kuroda
星野　知輝 窒化物半導体ヘテロ構造トランジスタの電子輸送特性 hoshino
牧平　真太朗 ワイドギャップ半導体の衝突電離過程における散乱内電界効果 makihira
B3 菅　　真伸 suga
聴講生 Yu Wei Wang iExPO交換留学生 (〜9/30) yu-wei
Bradley Jason Anderson FrontierLab特別聴講生 (〜8/10) anderson

2015

@si.eei.eng.osaka-u.ac.jp
教　授 森　　伸也 mori
准教授 松岡　俊匡 matsuoka
鎌倉　良成 kamakura
事務補佐員 岩原　加代子 iwahara
招へい教授 西村　正 nishimura
特任研究員 谷　　貞宏 確率的A/D変換器を用いたウェアラブルセンサ用LSI tani
美里劫　夏南 半導体新材料のデバイスシミュレーション（〜9/30） gena
特別研究員 Mark Greenaway 日本学術振興会外国人特別研究員（7/5〜8/4） greenaway
D3 Jo Ikkyun 3周波GNSS CMOS 受信機のイメージ除去（〜9/30） jo
Bae Jungnam 全ディジタル位相同期回路 bae
Radhapuram Sai Chandrateja 全ディジタル位相同期回路のビヘイビア・レベル モデリングとトップ・ダウン設計（〜12/31） teja
D1 Yen Le Thi イメージセンサのシミュレーション（10/1〜） lethiyen
M2 浅野　智大 並列型確率的A/D変換器の線形性向上手法 asano
浦辺　祥吾 ナノワイヤ電界効果トランジスタのコンパクトモデル urabe
クレンデネン　啓示 2次元材料ナノリボン電界効果トランジスタの性能予測 kurendenen
山根　梨江 誘電泳動を用いた微粒子操作と捕捉検出回路 yamane
脇村　豪 放射線照射に伴う不揮発性メモリのエラー wakimura
M1 井上　泰佑 非接触給電・液中微粒子操作チップのための電源電圧モニタリング回路 inouet
小池　慎治 モンテカルロ法による半導体中の熱電特性解析 koike
小長　晃輔 第一原理計算を用いたSiCのインパクトイオン化 konaga
白澤　利隆 抵抗変化型メモリのスイッチング特性 shirasawa
南谷　夏海 モンテカルロ法を用いた裏面照射型超高速CCDの解析 minamit
Milandeli Ernest Dlamini ABEイニシアィブ研修員（10/1〜） dlamini
B4 勇　　正大 遺伝的アルゴリズムを用いた無線送信集積回路の送信特性改善手法 isami
上野　晃弘 非平衡グリーン関数法を用いた2次元格子の熱輸送シミュレーション ueno
桶田　修平 ドリフト拡散シミュレータを用いたSiC-MOSFETの電気特性解析 oketa
橋本　風渡 周期的に結合したナノリボンの電子状態解析 hashimoto
濱田　健斗 モンテカルロ法を用いたシリコンの熱電特性シミュレーション hamada
藤田　流星 フルバンドモンテカルロ法を用いた4H-SiCのホットキャリア輸送解析 fujita
B3 黒田　龍哉 kuroda
星野　知輝 hoshino