2023

国際会議

  1. J. H. Lim and N. Mori, "Shell thickness dependence of strain profile and electronic structure of InP-based colloid quantum dots," The 31st Korean Conference on Semiconductors, January 24-26, 2024, Gyongju, Korea
  2. S. Kuramoto and N. Mori, "Calculation of electric field distribution in 3D Monte Carlo device simulation using machine learning," The 2023 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai, November 16-17, Kyoto, Japan.
  3. S. A. Mojtahedzadeh, H. Tanaka, and N. Mori, "Carrier transport simulations in twisted bilayer and turbostratic multilayer graphene systems," The 36th International Microprocesses and Nanotechnology Conference, November 14-17, 2023, Hokkaido, Japan
  4. N. Mori, G. Mil'nikov, H. Tanaka, J. Okada, J. Iwata, and A. Oshiyama, "Semiconductor device simulation from first principles," The 24th Asian Workshop on First-Principles Electronic Structure, October 30-November1, 2023, Shanghai, China.
  5. J. H. Lim and N. Mori, "Statistical model of electronic structure in disordered quantum dots of InAs, InP, GaSb, and Si," 2023 International Conference on Solid State Devices and Materials, September 5-8, 2023, Nagoya, Japan.
  6. W. Miyazaki, H. Tanaka, and N. Mori, "Full-Band Monte Carlo Analysis of strain effects on carrier transport in GaN," 2023 International Conference on Solid State Devices and Materials, September 5-8, 2023, Nagoya, Japan.
  7. S. Nagamizo, H. Tanaka, and N. Mori, "Wannier-Stark localization of electronic states in 4H-SiC MOS inversion layer," 2023 International Conference on Solid State Devices and Materials, September 5-8, 2023, Nagoya, Japan.
  8. K. Utsumi, H. Tanaka, and N. Mori, "Theoretical analysis of electron scattering by step-terrace structures at SiC metal-oxide-semiconductor interface," 2023 International Conference on Solid State Devices and Materials, September 5-8, 2023, Nagoya, Japan.
  9. Y. Murakami, S. Nagamizo, H. Tanaka, and N. Mori, "Analysis of tunneling effects in 4H-SiC Schottky barrier diodes based on complex band structure considering barrier potential," 2023 International Conference on Solid State Devices and Materials, September 5-8, 2023, Nagoya, Japan.
  10. Y. Murakami, S. Nagamizo, H. Tanaka, and N. Mori, "Analysis of tunneling probability using complex bands considering barrier potential," 22nd International Conference on Electron Dynamics in Semiconductors, Optoelectronics and Nanostructures, August 14-18, 2023, Münster, Germany.
  11. W. Miyazaki, H. Tanaka and N. Mori, "Full-band Monte Carlo analysis of the effects of strain on the impact ionization of GaN," 22nd International Conference on Electron Dynamics in Semiconductors, Optoelectronics and Nanostructures, August 14-18, 2023, Münster, Germany.
  12. J. Okada and N. Mori, "Statistical study of the effect of interface roughness on electron mobility in Si nanosheets," 22nd International Conference on Electron Dynamics in Semiconductors, Optoelectronics and Nanostructures, August 14-18, 2023, Münster, Germany.
  13. H. Tanaka, T. Kimoto, and N. Mori, "Impacts of band structures and scattering processes on high-field carrier transport in wide bandgap semiconductors," International Workshop on Computational Nanotechnology, June 12-16, 2023, Barcelona, Spain.

国内会議

  1. Lim Jin Hyong，森　伸也，"InPコア/シェル量子ドットの電子構造に歪みが与える影響"，応用物理学会春季学術講演会，2024年3月24日，東京都市大学，東京
  2. 岡田　丈，森　伸也，"矩形断面半導体ナノシートにおける電子移動度の数値解析"，応用物理学会春季学術講演会，2024年3月24日，東京都市大学，東京
  3. 森　伸也，"ランダムポテンシャルがサブスレッショルド特性に与える影響"，応用物理学会春季学術講演会，2024年3月24日，東京都市大学，東京
  4. 荒井 晟来，田中　一，森　伸也，"SiC MOS 界面におけるドナー不純物による電子束縛状態の解析"，先進パワー半導体分科会 第10回研究会，2023年11月30日，金沢，石川県
  5. 岡田　丈，田中　一，森　伸也，"半導体ナノシートにおける表面ラフネス散乱の量子論に基づく数値解析"，シリコンテクノロジー分科会 第246回研究集会，2023年11月9日，機械振興会館，東京都
  6. 松田 和典，山本 雅史，三河 通男，岡野　寛，高倉 賢一郎，森　伸也，國本　崇，"ゲルマニウムのピエゾ抵抗効果"，応用物理学会秋季学術講演会，2023年9月22日，熊本城ホール，熊本県
  7. 田中　一，木本 恒暢，森　伸也，"4H-SiCの衝突イオン化係数の理論解析"，応用物理学会秋季学術講演会，2023年9月21日，熊本市民会館，熊本県
  8. 岡田　丈，森　伸也，"半導体ナノシートにおける表面ラフネス散乱の数値解析"，応用物理学会秋季学術講演会，2023年9月21日，熊本市民会館，熊本県

2022

国際会議

  1. W. Miyazaki, H. Tanaka, and N. Mori, "Tight-binding and full-band Monte Carlo analysis of the strain effects in wurtzite GaN," Workshop on Innovative Nanoscale Devices and Systems 2022, December 4-9, 2022, Hawaii, USA.
  2. Y. Murakami, S. Nagamizo, H. Tanaka, and N. Mori, "Theoretical analysis of tunneling effect in 4H-SiC Schottky barrier diodes based on complex band structure," Workshop on Innovative Nanoscale Devices and Systems 2022, December 4-9, 2022, Hawaii, USA.
  3. J. Okada, J. Hattori, K. Fukuda, T. Ikegami, and N. Mori, "Modeling of band-to-band tunneling in ultra-thin GaSb and InAs gate-all-around nanowire tunnel FETs," Workshop on Innovative Nanoscale Devices and Systems 2022, December 4-9, 2022, Hawaii, USA.
  4. F. Tanaka, H. Tanaka, and N. Mori, "Monte Carlo simulation of electron transport in SiC MOS inversion layers considering capture and emission by interface states," 2022 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai, November 28-30, 2022, Kyoto, Japan.
  5. Y. Murakami, S. Nagamizo, H. Tanaka, and N. Mori, "Theoretical analysis of tunneling current in 4H-SiC Schottky barrier diodes under reverse-biased condition based on complex band structure," 2022 International Conference on Solid State Devices and Materials, September 26-29, 2022, Chiba, Japan.
  6. J. Okada, N. Mori, and G. Mil'nikov, "Accuracy of equivalent model in band-to-band tunneling simulation of semiconductor nanowires," 2022 International Conference on Solid State Devices and Materials, September 26-29, 2022, Chiba, Japan.
  7. W. Miyazaki, H. Tanaka, and N. Mori, "Tight-binding analysis of the effect of strain on the band structure of GaN," 2022 International Conference on Solid State Devices and Materials, September 26-29, 2022, Chiba, Japan.
  8. J. H. Lim and N. Mori, "Atomistic modeling of electronic structure of disordered InP quantum dots," 2022 International Conference on Solid State Devices and Materials, September 26-29, 2022, Chiba, Japan.

国内会議

  1. 森　伸也，"異方性を有する自立シリコン板における音響フォノン散乱"，応用物理学会春季学術講演会，2023年3月17日，上智大学，東京
  2. 倉元 俊亮，森　伸也，"3次元モンテカルロデバイスシミュレーションにおける電界分布数値計算の機械学習による高速化"，応用物理学会春季学術講演会，2023年3月17日，上智大学，東京
  3. 田中　一，森　伸也，"[第44回論文奨励賞受賞記念講演] SiC MOS反転層における電子散乱過程およびHall移動度のモデリング"，応用物理学会春季学術講演会，2023年3月16日，上智大学，東京
  4. 岡田　丈，美里劫 夏南，森　伸也，"ナノワイヤトランジスタのバンド間トンネルにおける等価モデル"，「富岳」成果創出加速プログラム 研究交流会，2023年3月7〜8日，オンライン会議
  5. 田中　一，森　伸也，"2次元系におけるフォノン散乱により生じるテール状態の理論解析"，先進パワー半導体分科会第9回講演会，2022年12月21日，福岡国際会議場，福岡県
  6. 永溝 幸周，田中　一，森　伸也，"経験的擬ポテンシャル法に基づく 4H-SiC MOS 反転層の擬 2 次元電子状態解析"，先進パワー半導体分科会第9回講演会，2022年12月20日，福岡国際会議場，福岡県
  7. 内海 慶祐，田中　一，森　伸也，"SiC MOS 界面に生じるステップ・テラス構造による電子散乱の理論解析"，先進パワー半導体分科会第9回講演会，2022年12月20日，福岡国際会議場，福岡県
  8. 倉元 俊亮，森　伸也，"モンテカルロ・シミュレーションにおけるポアソン方程式数値計算の機械学習を用いた高速化"，応用物理学会関西支部 75周年記念講演会，2022年11月7日，大阪大学吹田キャンパス，大阪府
  9. 森　伸也，美里劫 夏南，"省エネ半導体デバイスの先端シミュレーション"，「富岳」成果創出加速プログラム「省エネルギー次世代半導体デバイス開発のための量子論マルチシミュレーション」研究会，2022年10月18日，名古屋大学，愛知県
  10. 森　伸也，"半導体デバイスシミュレーション技術の進展"，アドバンス・シミュレーション・セミナー，2022年10月14日，オンラインセミナー
  11. 宮崎　航，田中　一，森　伸也，"GaNのバンド構造に歪みが与える影響の強束縛近似法に基づく解析"，応用物理学会秋季学術講演会，2022年9月23日，東北大学，宮城県
  12. 村上 勇徳，田中　一，森　伸也，"4H-SiCショットキー障壁ダイオードにおけるトンネル電流の理論解析"，応用物理学会秋季学術講演会，2022年9月22日，東北大学，宮城県
  13. 内海 慶祐，田中　一，森　伸也，"SiC結晶表面におけるステップ・テラス構造による電子散乱の理論解析"，応用物理学会秋季学術講演会，2022年9月21日，東北大学，宮城県
  14. Lim Jin Hyong，森　伸也，"乱れたInP量子ドットのエネルギー分布解析"，応用物理学会秋季学術講演会，2022年9月21日，東北大学，宮城県
  15. 田中　一，森　伸也，"フォノン散乱により生じるテール状態の輸送特性の非平衡グリーン関数解析"，応用物理学会秋季学術講演会，2022年9月21日，東北大学，宮城県
  16. 森　伸也、岡田　丈、美里劫 夏南，"量子輸送デバイスシミュレーションにおける等価モデルの進展"，2022年7月22日，第236回シリコンテクノロジー分科会研究集会，オンライン会議
  17. 森　伸也，"量子論に基づくデバイスシミュレータの進展"，第35期CAMMフォーラム 本例会，2022年5月13日，オンライン会議

2021

国際会議

  1. G. Mil'nikov and N. Mori, "Application of the R-matrix approach to large scale NEGF simulations," International Symposium on Wide Gap Semiconductor Growth, Process and Device Simulation 2022, January 11-12, 2022, Virtual Conference
  2. N. Mori, S. Nagamizo, H. Tanaka, and G. Mil'nikov, "Semiconductor device modeling and simulation from an atomistic view," International Symposium on Wide Gap Semiconductor Growth, Process and Device Simulation 2022, January 11-12, 2022, Virtual Conference
  3. H. Tanaka and N. Mori, "Monte Carlo simulation of electron mobility in SiC MOSFETs," 2021 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai, November 19, 2021, Virtual conference
  4. S. Nagamizo, H. Tanaka, and N. Mori, "Analysis of electronic states at SiC MOS interface based on empirical pseudopotential method," 2021 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai, November 19, 2021, Virtual conference
  5. A. Komada and N. Mori, "Impact of anharmonic phonon-phonon scattering on phonon transport in one-dimensional system," 2021 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai, November 18, 2021, Virtual conference
  6. Y. Kunimoto and N. Mori, "Wigner Monte Carlo simulation of quantum superposition states," 2021 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai, November 18, 2021, Virtual conference
  7. N. Mori, F. Hashimoto, T. Mishima, and H. Tanaka, "Analytical models for inter-layer tunneling in two-dimensional materials," 2021 International Conference on Solid State Devices and Materials, September 6-9, 2021, Virtual Conference
  8. S. Nagamizo, H.Tanaka, and N. Mori, "Electronic states in 4H-SiC MOS inversion layers considering crystal structure using empirical pseudopotential method," International Workshop on Computational Nanotechnology, May 26-June 6, 2021, Virtual Conference
  9. J. Okada, F. Hashimoto, and N. Mori, "Equivalent model for tunneling simulation of direct-gap semiconductor nanowires," International Workshop on Computational Nanotechnology, May 26-June 6, 2021, Virtual Conference

国内会議

  1. 田中　一，森　伸也，"SiC MOS反転層におけるHall移動度に界面準位の面直位置が与える影響"，応用物理学会春季学術講演会，2022年3月24日，オンライン会議
  2. 田中　一，森　伸也，"[第13回シリコンテクノロジー分科会研究奨励賞受賞記念講演] 界面準位を考慮したSiC MOS反転層におけるHall移動度の理論解析"，応用物理学会春季学術講演会，2022年3月23日，オンライン会議
  3. 岡田　丈，森　伸也，"等価モデルに基づく半導体ナノワイヤバンド間トンネルシミュレーション"，応用物理学会春季学術講演会，2022年3月22日，オンライン会議
  4. 森　伸也，"省エネルギーデバイスのシミュレーション"，「富岳」成果創出加速プログラム　物質・材料系課題 合同研究会，2021年12月8日，オンライン会議
  5. 森　伸也，星野 知輝，田中　一，美里劫 夏南，"パワーデバイスのモデリング・シミュレーション"，第40回電子材料シンポジウム，2021年10月12日，オンライン会議
  6. 入田 一輝，岡田　丈，橋本 風渡，田中　一，森　伸也，"強束縛近似法によるβ-Ga2O3の電子状態の解析"，応用物理学会秋季学術講演会，2021年9月12日，オンライン会議
  7. 永溝 幸周，田中　一，森　伸也，"経験的擬ポテンシャル法に基づくSiC MOS界面における電子状態の解析"，応用物理学会秋季学術講演会，2021年9月11日，オンライン会議
  8. Lim Jin Hyong，森　伸也，"原子論モデルを用いた乱れた量子ドットのエネルギー分布解析"，応用物理学会秋季学術講演会，2021年9月10日，オンライン会議
  9. 田中　一，森　伸也，"ポテンシャル揺らぎがHall移動度とドリフト移動度の乖離に与える影響"，応用物理学会秋季学術講演会，2021年9月10日，オンライン会議

2020

国際会議

  1. N. Mori, H. Tanaka, T. Hoshino, and G. Mil'nikov, "Monte Carlo simulation of two-dimensional carrier mobility in wide-gap semiconductor devices," International Symposium on Wide Gap Semiconductor Growth, Process and Device Simulation 2021, January 19-21, 2021, Virtual Conference
  2. F. Hashimoto and N. Mori, "Comparative simulation study of intra-layer band-to-band tunneling in monolayer transition metal dichalcogenides," 2020 International Conference on Solid State Devices and Materials, September 27-30, 2020, Virtual Conference
  3. J. Okada, F. Hashimoto, and N. Mori, "Reduction of order of device hamiltonian with adaptive moment estimation," 2020 International Conference on Solid State Devices and Materials, September 27-30, 2020, Virtual Conference
  4. H. Asai, T. Kuroda,K. Fukuda, J. Hattori, T. Ikegami, and N. Mori, "TCAD simulation for transition metal dichalcogenide channel Tunnel FETs consistent with abinitio based NEGF calculation," International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices 2020, September 23-October 6, 2020, Virtual Conference
  5. G. Mil'nikov, N. Mori, J. Iwata, and A. Oshiyama, "The RSDFT-EM representation and first principle transport simulations of realistic field-effect transistors," Workshop on "Multiscale Approach from Atoms to Device: Toward Predictive Simulation," International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices 2020, September 23-October 6, 2020, Virtual Conference

国内会議

  1. 橋本 風渡，森　伸也，"ゲルマニウムにおけるバンド間トンネル電流のNEGFシミュレーション"，応用物理学会春季学術講演会，2021年3月16日，オンライン会議
  2. 岡田　丈，橋本 風渡，森　伸也，"直接遷移型半導体におけるバンド間トンネルシミュレーションの高速化"，応用物理学会春季学術講演会，2021年3月16日，オンライン会議
  3. 森　伸也，"極微細半導体デバイスの量子輸送シミュレーション"，第11回材料系ワークショップ　〜マテリアルDXを加速する「富岳」を活用した成果の創出に向けて〜，2021年2月10日，オンライン会議
  4. 永溝 幸周，田中　一，森　伸也，"経験的擬ポテンシャル法を用いた4H-SiCにおける浮遊電子状態の計算"，先進パワー半導体分科会第7回講演会，2020年12月9日，オンライン会議
  5. 浅井 栄大，黒田 龍哉，福田 浩一，服部 淳一，池上　努，森　伸也，"第一原理バンド計算を基盤とした原子層チャネルトンネルトランジスタのTCADシミュレーション"，シリコン材料・デバイス研究会，2020年11月20日，オンライン会議
  6. 森　伸也，橋本 風渡，三島 嵩也，田中　一，"ファンデルワールスヘテロ構造におけるバンド間トンネルのNEGFシミュレーション"，シリコン材料・デバイス研究会，2020年11月20日，オンライン会議
  7. Yen Le Thi，Yoshinari Kamakura，Nobuya Mori，"A model of dark current mechanism in barrier infrared photodetectors"，シリコン材料・デバイス研究会，2020年11月19日，オンライン会議
  8. 田中　一，"界面準位の影響に着目したSiC MOS反転層における電子輸送の理論的検討"，先進パワー半導体分科会第6回個別討論会，2020年9月14日，オンライン会議
  9. 田中　一，木本 恒暢，森　伸也，"衝突イオン化係数のバンド構造に対する依存性の理論的解析"，応用物理学会秋季学術講演会，2020年9月10日，オンライン会議
  10. 橋本 風渡，森　伸也，"TMDCナノリボンにおけるバンド間トンネル電流のNEGF解析"，応用物理学会秋季学術講演会，2020年9月11日，オンライン会議
  11. 岡田　丈，橋本 風渡，森　伸也，"適応モーメント推定を利用した量子輸送シミュレーションの高速化"，応用物理学会秋季学術講演会，2020年9月11日，オンライン会議
  12. 石部 貴史，留田 純希，渡辺 健太郎，鎌倉 良成，森　伸也，成瀬 延康，目良　裕，山下 雄一郎，中村 芳明，"[第4回薄膜・表面物理分科会論文賞受賞記念講演] 界面制御した透明 ZnO 薄膜における熱電出力因子増大"，応用物理学会秋季学術講演会，2020年9月8日，オンライン会議

2019

国際会議

  1. N. Mori, G. Mil'nikov, J. Iwata, and A. Oshiyama, "RSDFT-NEGF quantum transport simulation of ultra-small field-effect transistors," The 4th IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing, March 16, 2020, Penang, Malaysia
  2. N. Mori, T. Kamioka, and G. Mil'nikov, "Atomistic Green function simulation of thermal conductance in isotopically disordered armchair-edge graphene nanoribbons," International Symposium on Hybrid Quantum Systems 2019, December 2, 2019, Matsue, Japan
  3. S. A. Mojtahedzadeh and N. Mori, "Effects of impurity concentration on electron transport in multilayer graphene," International Symposium on Hybrid Quantum Systems 2019, December 2, 2019, Matsue, Japan
  4. T. Mishima, H. Tanaka, F. Hashimoto, and N. Mori, "Effects of inelastic scattering on inter-layer tunneling between vertically stacked semiconductor nanoribbons," International Symposium on Hybrid Quantum Systems 2019, December 2, 2019, Matsue, Japan
  5. F. Hashimoto, H. Tanaka, and N. Mori, "NEGF simulation of band-to-band tunneling in TMD heterojunctions," International Symposium on Hybrid Quantum Systems 2019, December 2, 2019, Matsue, Japan
  6. H. Tanaka, N. Mori, and T. Kimoto, "Theoretical study of band structure effects on impact ionization coefficients in wide-bandgap semiconductors," 9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS2019), November 12, Okinawa, Japan
  7. H. Tanaka and N. Mori, "Monte Carlo Simulation of Hall Mobility in 4H-SiC MOS Inversion Layers," International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019, October 2, 2019, Kyoto, Japan
  8. S. Sakane, T. Ishibe, N. Naruse, Y. Mera, Md. Mahfuz Alam, K. Sawano, N. Mori, and Y. Nakamura, "Simultaneous realization of thermoelectric power factor enhancement and thermal conductivity reduction in epitaxial Si films containing β-FeSi2 nanodots," The 5th Asia-Pacific Conference on Semiconducting Silicides and Related Materials, 2019, July 20, 2019, Miyazaki, Japan
  9. G. Mil'nikov, J. Iwata, N. Mori, and A. Oshiyama, "The first-principle models of quantum transport and atomistic device simulations of realistic semiconductor devices," International Conference on Electron Dynamics in Semiconductors, Optoelectronics and Nanostructures, July 17, 2019, Nara, Japan
  10. F. Hashimoto and N. Mori, "Stacking order dependence of inter-layer tunneling in van der Waals TMDC heterostructures," International Conference on Electron Dynamics in Semiconductors, Optoelectronics and Nanostructures, July 17, 2019, Nara, Japan
  11. Y. Le Thi, Y. Kamakura, and N. Mori, "Device simulation of barrier infrared photodetectors using InAs/GaSb superlattice," International Conference on Electron Dynamics in Semiconductors, Optoelectronics and Nanostructures, July 16, 2019, Nara, Japan
  12. H. Tanaka and N. Mori, "NEGF analysis of classical Hall effect in two-dimensional systems," International Conference on Electron Dynamics in Semiconductors, Optoelectronics and Nanostructures, July 16, 2019, Nara, Japan
  13. T. Mishima, H. Tanaka, F. Hashimoto, and N. Mori, "NEGF simulation of inter-layer tunneling between semiconductor nanoribbons," International Conference on Electron Dynamics in Semiconductors, Optoelectronics and Nanostructures, July 15, 2019, Nara, Japan
  14. L. Turyanska, N. Cottam, C. Zhang, D. Rogers, R. Wheatley, O. Makarovsky, L. Eaves, A. Patanè, and N. Mori, "Surface functionalisation of graphene by colloidal nanocrystals: from atomistic modelling to ultrasensitive photon detectors," International Conference on Electron Dynamics in Semiconductors, Optoelectronics and Nanostructures, July 15, 2019, Nara, Japan
  15. S. A. Mojtahedzadeh and N. Mori, "Monte Carlo simulation of electron transport in multilayer graphene," International Conference on Electron Dynamics in Semiconductors, Optoelectronics and Nanostructures, July 15, 2019, Nara, Japan
  16. F. Hashimoto and N. Mori, "Effect of stacking order on band-to-band tunneling in van der Waals TMDC heterojunctions," International Workshop on Computational Nanotechnology, May 20, 2019, Illinois, USA
  17. T. Kuroda, F. Hashimoto, and N. Mori, "Resonant enhancement of band-to-band tunneling in in-plane MoS2/WS2 heterojunction tunnel transistors," Compound Semiconductor Week 2019, May 20, 2019, Nara, Japan

国内会議

  1. 田中　一，木本 恒暢，森　伸也，"ワイドギャップ半導体の衝突イオン化係数にバンド構造が与える影響の解析"，第67回応用物理学会春季学術講演会，2020年3月14日，上智大学，東京都
  2. 岡田　丈，森　伸也，"ニューラルネットワークを用いた強束縛近似ハミルトニアンの圧縮"，第67回応用物理学会春季学術講演会，2020年3月12日，上智大学，東京都
  3. 石部 貴史，留田 純希，渡辺 健太郎，鎌倉 良成，森　伸也，成瀬 延康，目良 裕，山下 雄一郎，中村 芳明，"ナノワイヤ界面制御による熱電出力因子増大方法論"，「第4回薄膜・表面物理分科会論文賞受賞記念講演」，第67回応用物理学会春季学術講演会，2020年3月12日，上智大学，東京都
  4. 根岸 良太，周 詠凱，魏 超鵬，小川 友以，谷保 芳孝，赤堀 誠志，Seyed Ali Mojtahedzadeh，森　伸也，増田 健作，橋本 克之，平山 祥郎，小林 慶裕，"乱層積層した多層グラフェンにおけるキャリア散乱長の向上"，第67回応用物理学会春季学術講演会，2020年3月12日，上智大学，東京都
  5. 森　伸也，橋本 風渡，Seyed Ali Mojtahedzadeh，田中　ー，"ハイブリッド量子デバイスのシミュレーション"，新学術領域「ハイブリッド量子科学」第10回領域会議，2020年2月26日，理化学研究所，埼玉県
  6. 橋本 風渡，森　伸也，"結合したMoS2ナノリボンの電子輸送解析"，新学術領域「ハイブリッド量子科学」第10回領域会議，2020年2月26日，理化学研究所，埼玉県
  7. 森　伸也，鎌倉 良成，美里劫 夏南，岩田 潤一，押山　淳，"量子論デバイス創製シミュレータ開発"，第9回材料系ワークショップ，2020年2月17日，秋葉原コンベンションホール，東京都
  8. 田中　一，木本 恒暢，森　伸也，"衝突イオン化係数にバンド構造が与える影響の理論解析"，先進パワー半導体分科会第6回講演会，2019年12月3日，広島国際会議場，広島
  9. 橋本 風渡，田中　一，森　伸也，"ファンデルワールスヘテロ構造におけるバンド間トンネル電流のNEGF解析"，応用物理学会秋季学術講演会，2019年9月18日，北海道大学，北海道
  10. 屋嘉部 太志，鎌倉 良成，森　伸也，"フォトダイオードにおけるアバランシェ増倍現象のシミュレーション解析"，応用物理学会秋季学術講演会，2019年9月18日，北海道大学，北海道
  11. 田中　一，森　伸也，"2次元系における古典Hall移動度の非平衡グリーン関数法による理論解析"，応用物理学会秋季学術講演会，2019年9月18日，北海道大学，北海道
  12. 吉原 拓哉，Saichandrateja Radhapuram，松岡 俊匡，"FPGAを用いた全ディジタルPLLの設計手法に関する研究"，2019年電子情報通信学会ソサエティ大会，2019年9月10日，大阪大学 豊中キャンパス，大阪府
  13. 森　伸也，美里劫 夏南，岩田 潤一，押山　淳，"量子輸送デバイスシミュレータ開発"，第5回ポスト「京」重点課題（7）研究会，2019年8月9日，東京大学 伊藤謝恩ホール，東京都
  14. 鎌倉 良成，山下 大輝，森　伸也，"デバイスシミュレーションによるSiナノシートトランジスタの解析"，第5回ポスト「京」重点課題（7）研究会，2019年8月9日，東京大学 伊藤謝恩ホール，東京都
  15. 橋本 風渡，田中　ー，森　伸也，"NEGF法を用いたファンデルワールスヘテロ接合におけるバンド間トンネル電流解析"，新学術領域「ハイブリッド量子科学」第9回領域会議，2019年8月8日，北陸先端学技術大学院大学，石川県
  16. 三島 嵩也，田中　ー，橋本 風渡，森　伸也，"非弾性散乱が層間トンネル過程に及ぼす影響"，新学術領域「ハイブリッド量子科学」第9回領域会議，2019年8月8日，北陸先端学技術大学院大学，石川県
  17. Seyed Ali Mojtahedzadeh，田中　一，森　伸也，"モンテカルロ法を用いた多層グラフェンの電子輸送解析に関する研究"，新学術領域「ハイブリッド量子科学」第9回領域会議，2019年8月8日，北陸先端学技術大学院大学，石川県
  18. 森　伸也，"ファンデルワールス接合のキャリア輸送シミュレーション"，2019年6月21日，TCADアカデミック委員会研究会，慶應義塾大学，神奈川県
  19. 坂根 駿也，石部 貴史，藤田 武志，鎌倉 良成，森　伸也，中村 芳明，"サーマルマネージメントによるSiGe熱電材料の出力因子増大"，2019年度第1回応用物理学会関西支部講演会，2019年6月20日，関西学院大学，兵庫県

2018

国際会議

  1. F. Hashimoto and N. Mori, "Study on band-to-band tunneling in van der Waals heterojunctions using NEGF method," International Workshop on Hybrid Quantum Systems, January 8, 2019, Okinawa, Japan
  2. Y. Kajiwara and N. Mori, "NEGF simulation of coupled electron-phonon systems," International Workshop on Hybrid Quantum Systems, January 8, 2019, Okinawa, Japan
  3. F. Hashimoto and N. Mori, "Impact of lattice matching condition on the simulation of band-to-band tunneling in MoS2/Ge van der Waals heterojunctions," Workshop on Innovative Nanoscale Devices and Systems, November 25-30, 2018, Hawaii, USA
  4. S. Makihira and N. Mori, "Zero-eigenvalue method for solving the Barker-Ferry equation in one-dimensional systems," Workshop on Innovative Nanoscale Devices and Systems, November 25-30, 2018, Hawaii, USA
  5. T. Mishima, H. Tanaka, F. Hashimoto, and N. Mori, "Modeling of inter-layer tunneling between semiconductor nanoribbons," Workshop on Innovative Nanoscale Devices and Systems, November 25-30, 2018, Hawaii, USA
  6. Y. Kajiwara and N. Mori, "Nonequilibrium Green function simulation of coupled electron-phonon transport in one-dimensional nanostructure," 31st International Microprocesses and Nanotechnology Conference, November 13-16, 2018, Sapporo, Japan
  7. T. Kuroda, F. Hashimoto and N. Mori, "Self-consistent simulations of transport characteristics in-plane MoS2/WS2 heterojunction tunnel transistors," 31st International Microprocesses and Nanotechnology Conference, November 13-16, 2018, Sapporo, Japan
  8. N. Mori, T. Kamioka and G. Mil'nikov, "Anomalous phonon diffusion in isotopically disordered armchair-edge graphene nanoribbons," 31st International Microprocesses and Nanotechnology Conference, November 13-16, 2018, Sapporo, Japan
  9. S. Makihira and N Mori, "Intra-collisional field effect in one-dimensional GaN nanowires," International Workshop on Nitride Semiconductors 2018, November 11-16, 2018, Kanazawa, Japan
  10. T. Hoshino and N. Mori, "Electron mobility calculation for two-dimensional electron gas in InN/GaN digital alloy channel HEMTs," International Workshop on Nitride Semiconductors 2018, November 11-16, 2018, Kanazawa, Japan
  11. H. Tanaka and N. Mori, "Simulation of electron mobility in 4H-SiC MOS interface focusing on impacts of interface states,", 14th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures, October 21-25, 2018, Sendai, Japan
  12. N. Mori, G. Mil'nikov, J. Iwata, and A. Oshiyama, "Quantum transport device simulation based on real-space density functional theory and non-equilibrium Green's function method," International Union of Materials Research Societies - International Conference on Electronic Materials 2018, August 19-24, 2018, Daejeon, Korea
  13. M. Tomita, S. Ohba, Y. Himeda, R. Yamato, K. Shima, T. Kumada, M. Xu, H. Takezawa, K. Mesaki, K. Tsuda, S. Hashimoto, T. Zhan, H. Zhang, Y. Kamakura, Y. Suzuki, H. Inokawa, H. Ikeda, T. Matsukawa, T. Matsuki, T. Watanabe, "10 μW/cm2-class high power density planar Si-nanowire thermoelectric energy harvester compatible with CMOS-VLSI technology," 2018 Symposia on VLSI Technology and Circuits, June 18-22, 2018, Hawaii, USA

国内会議

  1. 田中　ー，森　伸也，"4H-SiC MOS反転層におけるHall移動度の理論的検討"，第66回応用物理学会春季学術講演会，2019年3月11日，東京工業大学，東京都
  2. 梶原 祐磨，森　伸也，"1次元ナノ構造における熱輸送に電子ドラッグ効果が及ぼす影響の解析"，第66回応用物理学会春季学術講演会，2019年3月10日，東京工業大学，東京都
  3. 三島 嵩也，田中　ー，橋本 風渡，森　伸也，"有限バイアス下における層間トンネル過程の非平衡グリーン関数解析"，第66回応用物理学会春季学術講演会，2019年3月10日，東京工業大学，東京都
  4. 牧平 真太朗，森　伸也，"Barker-Ferry方程式を用いた高電界輸送特性解析"，第66回応用物理学会春季学術講演会，2019年3月10日，東京工業大学，東京都
  5. 坂根 駿也，石部 貴史，藤田 武志，池内 賢朗，鎌倉 良成，森　伸也，中村 芳明，"SiGeナノ構造バルクにおける熱分布を利用した熱電出力因子の増大"，第66回応用物理学会春季学術講演会，2019年3月9日，東京工業大学，東京都
  6. 三島 嵩也，田中　ー，橋本 風渡，森　伸也，"半導体ナノリボンの層間トンネル"，新学術領域「ハイブリッド量子科学」第8回領域会議，2019年1月9日，沖縄科学技術大学院大学，沖縄県
  7. 橋本 風渡，森　伸也，"NEGF法を用いたファンデルワールスヘテロ接合におけるバンド間トンネル電流解析"，新学術領域「ハイブリッド量子科学」第8回領域会議，2019年1月9日，沖縄科学技術大学院大学，沖縄県
  8. 梶原 祐磨，森　伸也，"電子−フォノン連成系のNEGFシミュレーション"，新学術領域「ハイブリッド量子科学」第8回領域会議，2019年1月9日，沖縄科学技術大学院大学，沖縄県
  9. 美里劫 夏南，岩田 潤一，森　伸也，押山　淳，"RSDFTに基づいたSi/Geナノシートの第一原理シミュレーション"，第４回ポスト「京」重点課題（7）研究会，2018年12月17日，東京大学物性研究所柏キャンパス，千葉県
  10. 鎌倉 良成，山下 大輝，森　伸也，"TCADデバイスシミュレーションによるSiナノシートトランジスタの解析"，第４回ポスト「京」重点課題（7）研究会，2018年12月17日，東京大学物性研究所柏キャンパス，千葉県
  11. 森　伸也，"電子とフォノンのマルチフィジクスシミュレーション"，2018年11月26日，第212回シリコンテクノロジー分科会研究集会，応物会館，東京都
  12. 田中　ー，森　伸也，"4H-SiC MOS反転層における電子輸送のモデリング"，シリコン材料・デバイス研究会（SDM），2018年11月9日，機械振興会館，東京都
  13. 田中　ー，森　伸也，"4H-SiC MOS反転層における電子移動度の理論的検討"，先進パワー半導体分科会 第5回講演会，2018年11月7日，京都テルサ，京都府
  14. 坂根 駿也，柏野 真人，渡辺 健太郎，鎌倉 良成，森　伸也，藤田 武志，中村 芳明，"Au添加SiGeバルク熱電材料の構造とその高出力因子"，応用物理学会秋季学術講演会，2018年9月21日，名古屋国際会議場，愛知県
  15. 山下 大輝，鎌倉 良成，森　伸也，"大規模並列計算によるモンテカルロデバイスシミュレーションの高速化"，応用物理学会秋季学術講演会，2018年9月21日，名古屋国際会議場，愛知県
  16. 堅田 侑汰， 橋本 風渡，森　伸也，"弱く結合した多層グラフェンの電子輸送特性解析"，応用物理学会秋季学術講演会，2018年9月21日，名古屋国際会議場，愛知県
  17. 三島 嵩也，橋本 風渡，森　伸也，"2次元材料における層間トンネル過程の非平衡グリーン関数解析"，応用物理学会秋季学術講演会，2018年9月21日，名古屋国際会議場，愛知県
  18. 牧平 真太朗，森　伸也，"散乱内電界効果を考慮した1次元半導体の電子輸送解析"，応用物理学会秋季学術講演会，2018年9月21日，名古屋国際会議場，愛知県
  19. 梶原 祐磨，森　伸也，"電子−フォノン連成系の量子輸送解析"，新学術領域「ハイブリッド量子科学」第7回領域会議，2018年8月6日，名古屋大学 NIC，愛知県
  20. 橋本 ⾵渡，森　伸也，"ファンデルワースヘテロ構造におけるバンド間トンネル電流"，新学術領域「ハイブリッド量子科学」第7回領域会議，2018年8月6日，名古屋大学 NIC，愛知県
  21. 森　伸也，上岡 剛士，"NEGF法を用いたグラフェンナノリボンのフォノン輸送解析"，新学術領域「ハイブリッド量子科学」第7回領域会議，2018年8月6日，名古屋大学 NIC，愛知県
  22. 美里劫 夏南，岩田 潤一，森　伸也，押山　淳，"RSDFT-EM 表現に基づいた現実的ナノワイヤの第一原理輸送シミュレーション"，第３回ポスト「京」重点課題（7）研究会，2018年7月19日，東京大学 小柴ホール，東京都

2017

国際会議

  1. Y. Le Thi, Y. Kamakura, T. G. Etoh, and N. Mori, "Analysis of type-II InAs/GaSb superlattice mid-wavelength infrared p-i-n photodetector using device simulation," The 7th International Conference on Integrated Circuits, Design, and Verification, October 5-6, 2017, Hanoi, Vietnam
  2. T. Kuroda and N. Mori, "Resonant enhancement of band-to-band tunneling in in-plane MoS2/WS2 heterojunctions," 2017 International Conference on Solid State Devices and Materials, September 19-22, 2017, Sendai, Japan
  3. T. Hoshino and N. Mori, "Electron mobility of two-dimensional electron gas in InGaN Heterostructures: Effects of alloy disorder and random dipole scatterings," 2017 International Conference on Solid State Devices and Materials, September 19-22, 2017, Sendai, Japan
  4. F. Hashimoto and N. Mori, "Ballistic electron transport in coupled graphene nanoribbons," International Symposium on Hybrid Quantum Systems 2017, September 10-13, Miyagi-Zao, Japan
  5. Y. Kajiwara and N. Mori, "Coupled electron-phonon transport simulation of 1D nanostructures," International Symposium on Hybrid Quantum Systems 2017, September 10-13, Miyagi-Zao, Japan
  6. A. Ueno and N. Mori, "Effects of boundary condition on phonon transport in two-dimensional harmonic lattice," International Symposium on Hybrid Quantum Systems 2017, September 10-13, Miyagi-Zao, Japan
  7. N. Mori, L. Turyanska, O. Makarovsky, A. Patanè, and L. Eaves, "Monte Carlo simulation of carrier transport in hybrid graphene-quantum dot transistors," International Symposium on Hybrid Quantum Systems 2017, September 10-13, Miyagi-Zao, Japan
  8. R. Fujita, K. Konaga, Y. Ueoka, T. Kotani, Y. Kamakura, and N. Mori, "Analysis of anisotropic ionization coefficient in bulk 4H-SiC with full-band monte carlo simulation," International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices 2017, September 7-9, Kamakura, Japan
  9. G. Mil'nikov, J. Iwata, N. Mori, and A. Oshiyama, "First-principles calculations of the non-equilibrium polarization in ultra-small Si nanowire devices," International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices 2017, September 7-9, Kamakura, Japan
  10. S. Sho and S. Odanaka, "A hybrid MPI/OpenMP parallelization method for a quantum drift diffusion model," International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices 2017, September 7-9, Kamakura, Japan
  11. T. Hoshino and N. Mori, "Effects of dipole scattering on electron transport in gallium nitride-based HEMT," The 20th International Conference on Electron Dynamics in Semiconductors, Optoelectronics and Nanostructures, July 17–21, 2017, Buffalo, USA
  12. T. Kuroda and N. Mori, "Nonequilibrium Green function simulations of band-to-band tunneling in in-plane MoS2/WS2 heterostructures," The 20th International Conference on Electron Dynamics in Semiconductors, Optoelectronics and Nanostructures, July 17–21, 2017, Buffalo, USA
  13. F. Hashimoto and N. Mori, "Inter-layer coupling effects on ballistic electron transport in multilayer graphene," The 20th International Conference on Electron Dynamics in Semiconductors, Optoelectronics and Nanostructures, July 17–21, 2017, Buffalo, USA
  14. G. Mil'nikov, N. Mori, J. Iwata, and A. Oshiyama, "Equivalent model representation in first-principles transport simulations of nanowire MOSFETs," The International Workshop on Computational Nanotechnology, June 5-9, 2017, Windermere, UK
  15. T. G. Etoh, A. Q. Nguyen, Y. Kamakura, K. Shimonomura, Y. Le Thi, and N. Mori, "The temporal resolution limit of the silicon image sensors," 2017 International Image Sensor Workshop, May 30 – 2 June, 2017, Hiroshima, Japan

国内会議

  1. 橋本 ⾵渡，森　伸也，"⾮平衡グリーン関数法を⽤いたMoS2/Geバンド間トンネル電流解析"，第65回応用物理学会春季学術講演会，2018年3月19日，早稲田大学，東京都
  2. ⿊⽥ ⿓哉，森　伸也，"MoS2/WS2⾯内ヘテロ接合におけるバンド間トンネル電流のNEGF解析"，第65回応用物理学会春季学術講演会，2018年3月19日，早稲田大学，東京都
  3. 藤⽥ 流星，上岡 良季，⼩⾕ 岳⽣，鎌倉 良成，森　伸也，"フルバンドモンテカルロ法を⽤いたバルク4H-SiCの衝突電離係数の異⽅性解析"，第65回応用物理学会春季学術講演会，2018年3月19日，早稲田大学，東京都
  4. 星野 知輝，森　伸也，"GaN/InN超格⼦チャネルHEMTの電⼦輸送特性"，第65回応用物理学会春季学術講演会，2018年3月19日，早稲田大学，東京都
  5. 牧平 真太朗，森　伸也，"GaN の極性光学フォノン散乱過程における散乱内電界効果"，第65回応用物理学会春季学術講演会，2018年3月19日，早稲田大学，東京都
  6. 鍾　菁廣，森　伸也，廣⽊ 彰，⼩⽥中 紳⼆，"量⼦ドリフト拡散モデルによるⅢ-Ⅴ族FinFETの短チャネル効果解析"，第65回応用物理学会春季学術講演会，2018年3月18日，早稲田大学，東京都
  7. 森　伸也，美⾥劫 夏南，鍾　菁廣，牧平 真太朗，鎌倉 良成，岩⽥ 潤⼀，押⼭　淳，"量⼦効果を考慮した半導体デバイスシミュレーション"，第65回応用物理学会春季学術講演会，2018年3月18日，早稲田大学，東京都
  8. 鎌倉 良成，"デバイスシミュレーションによる電気伝導機構の理解支援 ～授業等での活用事例のご紹介～"，第65回応用物理学会春季学術講演会，2018年3月18日，早稲田大学，東京都
  9. 梶原 祐磨，森　伸也，"電⼦ーフォノン相互作⽤を考慮した1次元ナノ構造の輸送特性解析"，第65回応用物理学会春季学術講演会，2018年3月18日，早稲田大学，東京都
  10. 坂根 駿也，渡辺 健太郎，成瀬 延康，⽬良　裕，Md. Mahfuz Alam，澤野 憲太郎，森　伸也，中村 芳明，"ナノ構造化Si薄膜における出⼒因⼦決定機構"，第65回応用物理学会春季学術講演会，2018年3月17日，早稲田大学，東京都
  11. Y. Le Thi, Y. Kamakura, T. G. Etoh, N. Mori, "A simulation analysis of electrical characteristics of type-II InAs/GaSb superlattice mid-infrared p-i-n photodetector," 第65回応用物理学会春季学術講演会，2018年3月17日，早稲田大学，東京都
  12. 森　伸也，上岡 剛士，梶原 祐磨，"非平衡グリーン関数法を用いたフォノン輸送解析"，新学術領域「ハイブリッド量子科学」第6回領域会議，2018年2月15日，NTT厚木研究開発センタ，神奈川県
  13. 橋本 ⾵渡，森　伸也，"MoS2/Geヘテロ接合におけるバンド間トンネル電流のNEGF解析"，新学術領域「ハイブリッド量子科学」第6回領域会議，2018年2月15日，NTT厚木研究開発センタ，神奈川県
  14. 梶原 祐磨，森　伸也，"NEGF法を用いた１次元ナノ構造の電子・フォノン輸送解析"，新学術領域「ハイブリッド量子科学」第6回領域会議，2018年2月15日，NTT厚木研究開発センタ，神奈川県
  15. 美里劫 夏南，森　伸也，岩田 潤一，押山　淳，"非平衡分極がナノワイヤ素子の輸送特性に及ぼす影響に関する研究"，第３回ポスト「京」重点課題（7）研究会，2017年12月5日，東京大学物性研究所柏キャンパス，千葉県
  16. 鍾　菁廣，森　伸也，小田中 紳二，"HiQHD コードを用いた新材料FinFET の短チャネル効果解析"，第３回ポスト「京」重点課題（7）研究会，2017年12月5日，東京大学物性研究所柏キャンパス，千葉県
  17. 森　伸也，"非平衡グリーン関数法を用いたフォノン輸送シミュレーション"，ナノ材料のフォノンと熱輸送：シミュレーションと実験からのアプローチ，2017年11月28日，国立情報学研究，東京都
  18. 森　伸也，美里劫　夏南，岩田 潤一，押山　淳，"極微細トランジスタの量子輸送シミュレーション"，シリコン材料・デバイス研究会（SDM），2017年11月10日，機械振興会館，東京都
  19. 鍾　菁廣，"高並列計算に向けた3次元量子ドリフト拡散モデルのハイブリッドMPI/OpenMP並列化"，第10回コンピュータ実験科学研究会，2017年11月12日，サイバーメディアセンター，大阪大学
  20. 桶田 修平，西村　正，鎌倉 良成，森　伸也，"ドリフト拡散シミュレータを用いたSiC-MOSFET電気特性の高精度モデル化のための基礎検討"，応用物理学会先進パワー半導体分科会第4回講演会，2017年11月1日〜2日，名古屋国際会議場，名古屋
  21. 梶原 祐磨，森　伸也，"1次元ナノ構造における電子ーフォノン相互作用を考慮した量子輸送シミュレーション"，新学術領域「ハイブリッド量子科学」第5回領域会議，2017年10月12日，I-siteなんば，大阪府
  22. 橋本 風渡，森　伸也，"MoS2/Ge ファンデルワールスヘテロ接合におけるバンド間トンネル電流"，新学術領域「ハイブリッド量子科学」第5回領域会議，2017年10月12日，I-siteなんば，大阪府
  23. 森　伸也，L. Turyanska，O. Makarovsky，A. Patanè，L. Eaves，"グラフェンにおけるドナー・アクセプタ散乱"，新学術領域「ハイブリッド量子科学」第5回領域会議，2017年10月12日，I-siteなんば，大阪府
  24. 森　伸也，鎌倉 良成，小田中 紳二，若谷 彰良，美里劫 夏南，鍾　菁廣，"次世代トランジスタの量子輸送シミュレーションに関する研究"，学際大規模情報基盤共同利用・共同研究拠点第９回シンポジウム，2017年7月13日，THE GRAND HALL（品川），東京都
  25. 鍾　菁廣，小田中 紳二，"新材料・新構造デバイス特性解析のための量子流体輸送シミュレータの開発"，第２回ポスト「京」重点課題（7）研究会，2017年7月12日，東京大学 小柴ホール，東京都
  26. 岩田 潤一，美里劫 夏南，"RSDFTの新機能開発とデバイスシミュレーションへの展開：シリセンおよびシリコンナノワイヤへの応用"，第２回ポスト「京」重点課題（7）研究会，2017年7月12日，東京大学 小柴ホール，東京都
  27. 美里劫 夏南，岩田 潤一，森　伸也，押山　淳，"ナノワイヤトランジスタにおける非平衡分極の影響"，第２回ポスト「京」重点課題（7）研究会，2017年7月11日，東京大学 小柴ホール，東京都
  28. 森　伸也，"量子論に基づくデバイスシミュレータの開発"，第30期CAMMフォーラム 本例会，2017年6月2日，アイビーホール，東京都

2016

国際会議

  1. T. Irisawa, T. Mori, T. Kuroda, and N. Mori, "Mobility analysis and BTBT simulation of TMDC 2D devices," International Workshop on 2D Materials and Devices beside Platanus, March 22, 2017, Kanagawa, Japan
  2. F. Hashimoto and N. Mori, "Ballistic transport characteristics of multilayer graphene," Project Meeting on MEXT, "Hybrid Quantum Systems" Project, February 27 - March 2, 2017, Wako, Japan
  3. N. Mori, "Mobility enhancement of graphene by spatially correlated charges," Project Meeting on MEXT, "Hybrid Quantum Systems" Project, February 27 - March 2, 2017, Wako, Japan
  4. G. Mil'nikov, "R-matrix and basis representation in quantum transport simulations," International Workshop on Massively Parallel Programming for Quantum Chemistry and Physics 2017, January 9-10, 2017, Kobe, Japan
  5. T. G. Etoh, Q. A. Nguyen, K. Shimonomura, Y. Le Thi, Y. Kamakura, "The Upper-bound frame rate of silicon image sensors," 31st International Congress on High-Speed Imaging and Phtonics, November 7-10, 2016, Osaka, Japan
  6. K. Shimonomura, Q. A. Nguyen, Y. Le Thi, Y. Kamakura, T. G. Etoh, "Simulation analysis of temporal resolution in BSIMCG image sensor," 31st International Congress on High-Speed Imaging and Phtonics, November 7-10, 2016, Osaka, Japan
  7. O. Kubo, N. Mori, H. Tabata, and M. Katayama, "Electronic properties of nanoribbons: Graphenen and silicene," 13th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures, October 9-15, 2016, Rome, Italy
  8. R. Suda, M. Yagi, A. Kojima, N. Mori, J. Shirakashi, and N. Koshida, "Criterion for ballisticelectron printing of thin metal and group IV films," 2016 International Conference on Solid State Devices and Materials, September 27-29, 2016, Tsukuba, Japan
  9. N. Mori, "Recent progress in NEGF simulation of electron and phonon transport in nano-devices," Short Course, 2016 International Conference on Solid State Devices and Materials, September 26, 2016, Tsukuba, Japan
  10. Y. Kamakura, R. Fujita, K. Konaga, Y. Ueoka, N. Mori, and T. Kotani, "Full band Monte Carlo simulation of impact ionization in wide bandgap semiconductors based on ab initio calculation," International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices 2016, September 6, 2016, Nuremberg, Germany
  11. F. Hashimoto, N. Mori, O. Kubo, and M. Katayama, "Electronic states of coupled armchair-edge nanoribbon arrays," The 33rd International Conference on the Physics of Semiconductors, July 31- August 5, 2016, Beijing, China
  12. O. Makarovsky, L. Turyanska, S. A. Svatek, P. H. Beton, C. J. Mellor, A. Patanè, L. Eaves, N. R. Thomas, M. W. Fay, A. J. Marsden, N. R. Wilson, and N. Mori, "Hybrid graphene-quantum dot transistor: Controlling carrier concentration, mobility and photoresponsivity," The 33rd International Conference on the Physics of Semiconductors, July 31- August 5, 2016, Beijing, China
  13. F. Hashimoto, N. Mori, O. Kubo, and M. Katayama, "Electronic states of zigzag-edge nanoribbon lateral superlattices under magnetic fields," The 22nd International Conference on High Magnetic Fields in Semiconductor Physics, July 24-29, 2016, Hokkaido, Japan
  14. Y. Le Thi, N. Minamitani, Y. Kamakura, and T. G. Etoh, "Analysis of ultra-high-speed image sensor based on drift-diffusion model," The 2016 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai, June 23-24, 2016, Kyoto, Japan
  15. M. Shirasawa, M. Dlamini, and Y, Kamakura, "Kinetic Monte Carlo simulation for switching probability of ReRAM," The 2016 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai, June 23-24, 2016, Kyoto, Japan
  16. N. Mori, G. Mil'nikov, J. Iwata, and A. Oshiyama, "R-matrix theory and real space DFT simulation of Si nanowire transistors," The 18th International Symposium on the Physics of Semiconductors and Applications, July 3-7, 2016, Jeju, Korea
  17. L. Turyanska, O. Makarovsky, P. H. Beton, C. J. Mellor, A. Patanè, L. Eaves, M. W. Fay, A. J. Marsden, N. R. Wilson, and N. Mori, "Hybrid graphene-quantum dot transistor: Controlling carrier concentration, mobility, and photoresponsivity," The 7th UK-Japan Symposium on Fundamental Research Advances in Carbon Nanomaterials, June 13, 2016, Burlington House, UK
  18. L. Turyanska, O. Makarovsky, S. A. Svatek, P. H. Beton, C. J. Mellor, A. Patanè, L. Eaves, N. R. Thomas, M. W. Fay, A. J. Marsden, N. R. Wilson, and N. Mori, "Hybrid graphene-quantum dot transistor: Controlling carrier concentration, mobility and photoresponsivity," The 9th International Conference on Quantum Dots, May 22-27, 2016, Jeju, Korea

国内会議

  1. 梶原 祐磨，森　伸也，"非平衡グリーン関数法を用いた１次元ナノ構造の熱電特性解析"，第64回応用物理学会春季学術講演会，2017年3月16日，パシフィコ横浜，神奈川県
  2. 黒田 龍哉，森　伸也，"TMDCヘテロ接合におけるバンド間トンネル電流のNEGF解析"，第64回応用物理学会春季学術講演会，2017年3月16日，パシフィコ横浜，神奈川県
  3. 橋本 風渡，森　伸也，"層間相互作用が多層グラフェンの電子輸送特性に及ぼす影響"，第64回応用物理学会春季学術講演会，2017年3月15日，パシフィコ横浜，神奈川県
  4. 星野 知輝，森　伸也，"窒化物半導体HEMTの電子輸送特性に双極子散乱が及ぼす影響"，第64回応用物理学会春季学術講演会，2017年3月14日，パシフィコ横浜，神奈川県
  5. 牧平 真太朗，森　伸也，"広い禁止帯を持つ半導体の衝突電離過程における散乱内電界効果"，第64回応用物理学会春季学術講演会，2017年3月14日，パシフィコ横浜，神奈川県
  6. 森　伸也，黒田 龍哉，"遷移金属ダイカルコゲナイドヘテロ接合におけるバンド間トンネル電流"，応用物理学会関西支部セミナー，2017年3月2日，大阪大学 吹田キャンパス，大阪府
  7. 鎌倉 良成，"フルバンドモンテカルロ法によるダイヤモンドのイオン化係数の解析"，一般社団法人ニューダイヤモンドフォーラム 平成28年度第3回研究会，2017年2月27日，早稲田大学西早稲田キャンパス，東京都
  8. 橋本 風渡，森　伸也，"非平衡グリーン関数法を用いた多層グラフェンの輸送特性解析"，第22回電子デバイス界面テクノロジー研究会，2017年1月20日，東レ研修センター，静岡県
  9. 勇　正大，松岡 俊匡，"FPGAエミュレーションによる並列型確率的A/D変換器のシステムレベル検証"，電気学会電子回路研究会，2017年1月19日，大牟田商工会議所，福岡県
  10. 森　伸也，美里劫 夏南，岩田 潤一，押山　淳，"R行列理論を用いたRSDFT-NEGFデバイスシミュレータの開発"，第２回ポスト「京」重点課題（7）研究会，2016年12月6日，東京大学物性研究所柏キャンパス，千葉県
  11. 鎌倉 良成，藤田 流星，小長 晃輔，上岡 良季，小谷 岳生，森　 伸也，鍾　菁廣，小田中 紳二，廣木　彰，佐野 伸行，"フルバンドモンテカルロ法によるアバランシェ破壊解析"，第２回ポスト「京」重点課題（7）研究会，2016年12月6日，東京大学物性研究所柏キャンパス，千葉県
  12. 勇　正大，松岡俊匡，"FPGAを用いた並列型確率的A/D変換器のシステム検証手法に関する研究"，電子情報通信学会 集積回路研究会，2016年11月30日，立命館大学 大阪いばらきキャンパス，大阪
  13. 井上 泰佑，勇　正大，松岡 俊匡，"非接触給電・液中微粒子操作チップのための電源電圧センサの設計"，電気関係学会関西連合大会，2016年11月22日，大阪府立大学，大阪府
  14. 森　伸也，美里劫 夏南，岩田 潤一，押山　淳，"非平衡グリーン関数法と第一原理RSDFT法によるナノワイヤトランジスタのデバイスシミュレーション"，新機能デバイス・高性能材料のための産官学連携フォーラム 第２回会合，2016年11月14日，東京大学本郷キャンパス，東京
  15. 森　伸也，"新材料半導体電子デバイス"，第306回電気材料技術懇談会，2016年11月4日，大阪大学中之島センター，大阪
  16. 桶田 修平，西村 正，鎌倉 良成，"SiC-MOSFETにおける伝導帯近傍のドナー型トラップが電気特性に与える影響のシミュレーション解析"，応用物理学会秋季学術講演会，2016年9月16日，朱鷺メッセ，新潟県
  17. 濱田 健斗，鎌倉 良成，"モンテカルロ法によるシリコンナノ構造の熱電特性シミュレーション"，応用物理学会秋季学術講演会，2016年9月15日，朱鷺メッセ，新潟県
  18. 白澤 利隆，Dlamini Mlandeli，鎌倉 良成，"抵抗変化型メモリのスイッチング確率のモンテカルロシミュレーション"，応用物理学会秋季学術講演会，2016年9月14日，朱鷺メッセ，新潟県
  19. 橋本 風渡，森　伸也，久保　理，片山 光浩，"磁場中におけるジグザグ端ナノリボン列の電子状態解析"，応用物理学会秋季学術講演会，2016年9月13日，朱鷺メッセ，新潟県
  20. 橋本 風渡，森　伸也，久保　理，片山 光浩，"強磁場下に置かれたナノリボン列の電子状態"，ハイブリッド量子科学 第一回若手研究会・第3回領域会議，2016年8月24-25日，東京理科大学 神楽坂キャンパス，東京都
  21. 藤田 流星，小長 晃輔，上岡 良季，小谷 岳生，鎌倉 良成，森　伸也，"フルバンドモンテカルロ法による4H-SiCの高電界電子輸送シミュレーション"，応用物理学会シリコンテクノロジー分科会 第193回 研究集会，2016年7月29日，機械振興会館，東京都
  22. 森　伸也，美里劫 夏南，鎌倉 良成，鍾　菁廣，小田中 紳二，岩田 潤一，押山　淳，"新材料からの量子論デバイス創製シミュレータ開発"，第１回ポスト「京」重点課題（7）研究会，2016年7月22日，東京大学 小柴ホール，東京都
  23. 美里劫 夏南，森　伸也，"ナノワイヤトランジスタシミュレーションのためのランダム行列フォノンモデル"，第１回ポスト「京」重点課題（7）研究会，2016年7月21日，東京大学 小柴ホール，東京都
  24. 森　伸也，鎌倉 良成，小田中 紳二，若谷 彰良，美里劫 夏南，鍾　菁廣，"次世代トランジスタの量子輸送シミュレーションに関する研究"，学際大規模情報基盤共同利用・共同研究拠点第８回シンポジウム，2016年7月14日，THE GRAND HALL（品川），東京都

2015

国際会議

  1. O. Kubo , R. Omura, N. Nakashima, M. Shigehara, R. Kuga, H. Tabata, N. Mori, and M. Katayama, "Distribution of local density of states on silicene nanoribbon array," 23rd International Colloquium on Scanning Probe Microscopy, December 10-12, 2015
  2. H. Minari, G. Pourtois, and N. Mori, "Applications of atomistic simulations to the development of advanced electronic devices," 25th Annual Meeting of MRS-J, December 8-10, 2015, Yokohama, Japan
  3. Y. Kamakura, T. Kotani, K. Konaga, N. Minamitani, G. Wakimura, and N. Mori, "Ab initio study of avalanche breakdown in diamond for power device applications," 2015 IEEE International Electron Devices Meeting, December 7-9, 2015, Washington, USA
  4. K. Konaga, T. Kotani, R. Fujita, Y. Kamakura, and, N. Mori, "Theoretical calculation of impact ionization rate for 4H-SiC in the GW approximation," International Symposium on Advanced Nanodevices and Nanotechnology, November 29-December 4, 2015, Waikoloa, Hawaii
  5. N. Minamitani, V. T. S. Dao, K. Shimonomura, T. G. Etoh, Y. Kamakura, and N. Mori, "Analysis of ultra-high-speed image sensor with Monte Carlo simulation," International Symposium on Advanced Nanodevices and Nanotechnology, November 29-December 4, 2015, Waikoloa, Hawaii
  6. F. Hashimoto, N. Mori, O. Kubo, and M. Katayama, "Electronic structures of zigzag-edge nanoribbon lateral superlattices," International Symposium on Advanced Nanodevices and Nanotechnology, November 29-December 4, 2015, Waikoloa, Hawaii
  7. O. Kubo, R. Omura, N. Nakashima, M. Shigehara, R. Kuga, H. Tabata, N. Mori and M. Katayama, "Mapping of local electronic density of states of silicene nanoribbons using scanning tunneling microscope," 28th International Microprocesses and Nanotechnology Conference, November 10-13, 2015, Toyama, Japan
  8. N. Nakashima, R. Omura, M. Shigehara, R. Kuga, H. Tabata, N. Mori, O. Kubo, and M. Katayama, "Differential conductance mapping of silicene nanoribbons on Ag(110)," 10th International Symposium on Atomic Level Characterizations for New Materials and Devices '15, October 25-30, 2015, Matsue, Japan
  9. J. Bae, S. Radhapuram, I. Jo, T. Kihara, and T. Matsuoka, "A low-voltage design of controller-based ADPLL for implantable biomedical devices,," 2015 IEEE Biomedical Circuits and Systems Conference, October 22-24, 2015, Atlanta, USA
  10. J. Bae, S. Radhapuram, I. Jo, T. Kihara, and T. Matsuoka, "A low-voltage design of digitally-controlled oscillator based on the gm/ID methodology," 2015 IEEE International Symposium on Radio-Frequency Integration Technology, August 26-28, 2015, Sendai, Japan
  11. N. Mori, R. Hill, A. Patanè, and L. Eaves, "Monte Carlo study on anomalous carrier diffusion in inhomogeneous semiconductors," 19th International Conference on Electron Dynamics in Semiconductors, Optoelectronics and Nanostructures, June 29 - July 2, 2015, Salamanca, Spain
  12. C. Clendennen, N. Mori, and H. Tsuchiya, "Comparative simulation study of graphene, silicene, and germanene nanoribbon FETs," 19th International Conference on Electron Dynamics in Semiconductors, Optoelectronics and Nanostructures, June 29 - July 2, 2015, Salamanca, Spain
  13. N. Koshida, R. Mentek, A. Kojima, N. Ikegami, R. Suda, M. Yagi, N. Mori, and J. Shirakashi, "Functional applications of nanostructured silicon," Collaborative Conference on 3D and Materials Research 2015, June 15-19, 2015, Busan, South Korea
  14. F. Hashimoto and N. Mori, "Effects of internal electric field on efficiency of carrier multiplication solar cells," 2015 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai, June 4-5, 2015, Kyoto, Japan
  15. G. Wakimura, T. Matsuoka, and Y. Kamakura, "A simulation study on soft error rate in STT-MRAM," 2015 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai, June 4-5, 2015, Kyoto, Japan
  16. N. Koshida, R. Suda, M. Yagi, N. Mori , and J. Shirakashi, "Thin film deposition based on reduction effect of ballistic hot electrons," International Conference on Nanotechnology, Nanomaterials & Thin Films for Energy Applications, June 1-3, 2015, Manchester, UK
  17. Y. Kamakura, "Monte Carlo simulation of electrothermal transport in nanoscale FETs," 2015 Osaka University-NCTU Joint Workshop on Modeling and Simulation of Semiconductor Devices, May 11-13, NCTU & tsmc, Taiwan
  18. N. Mori, "NEGF simulation of nanowire transistors," 2015 Osaka University-NCTU Joint Workshop on Modeling and Simulation of Semiconductor Devices, May 11-13, 2015, NCTU & tsmc, Taiwan

国内会議

  1. 橋本 風渡，森　伸也，久保　理，片山 光浩，"弱く結合したジグザグ端ナノリボン列の電子状態解析"，第63回応用物理学会春季学術講演会，2016年3月21日，東京工業大学 大岡山キャンパス，東京都
  2. 藤田 流星，小長 晃輔，小谷 岳生，鎌倉 良成，森　伸也，"フルバンドモンテカルロ法による4H-SiCの高電界電子輸送シミュレーション"，第63回応用物理学会春季学術講演会，2016年3月21日，東京工業大学 大岡山キャンパス，東京都
  3. 上野　晃弘，小池　慎治，森　伸也，"フォノン輸送シミュレーションにおける境界条件の影響"，第63回応用物理学会春季学術講演会，2016年3月19日，東京工業大学 大岡山キャンパス，東京都
  4. 美里劫 夏南，森　伸也，"ランダム行列フォノンモデルに基づくNEGFシミュレーション"，第63回応用物理学会春季学術講演会，2016年3月19日，東京工業大学 大岡山キャンパス，東京都
  5. E. M. Dlamini, M. Shirasawa, Y. Kamakura，"Simulation study for pulse switching probability of ReRAM"，第63回応用物理学会春季学術講演会，2016年3月19日，東京工業大学 大岡山キャンパス，東京都
  6. 勇　正大，鎌田 隆嗣，裵　正男，谷　貞宏，王　軍，大原 賢治，松岡 俊匡，"遺伝的アルゴリズムによる無線送信集積回路の送信特性向上手法の検討"，マイクロ波研究会・集積回路研究会，2016年3月4日，広島大学，広島県
  7. 森　伸也，上野 晃弘，小池 慎治，"2次元系の電子・フォノン輸送シミュレーション"，新学術領域「ハイブリッド量子科学」第2回領域会議，2016年3月3日，中之島センター，大阪
  8. 橋本 風渡，森　伸也，久保　理，片山 光浩，"結合したナノリボン列の電子状態解析"，新学術領域「ハイブリッド量子科学」第2回領域会議，2016年3月2日，中之島センター，大阪
  9. 西村　正，"ワイドギャップ半導体パワーデバイスとシミュレーション技術"，応用物理学会関西支部セミナー，2016年1月29日，大阪大学 吹田キャンパス，大阪府
  10. 小長 晃輔，小谷 岳生，藤田 流星，鎌倉 良成，森　伸也，"GW近似法に基づく4H-SiCのインパクトイオン化率の計算"，STARCフォーラム2015，2015年11月27日，横浜，神奈川県
  11. 西村　正，"パワーデバイスの初歩"，パワーデバイスの基礎に関する技術講演会，2015年11月24日，大阪大学 吹田キャンパス，大阪府
  12. 森　伸也，"極微細半導体デバイスの量子輸送シミュレーション"，2015年11月18日，電子情報技術産業協会，東京都
  13. 浅野 智大，平井 雄作，谷　貞宏，矢野 新也，趙 益均，松岡 俊匡，"並列型確率的A/D変換器の線形性向上手法に関する研究"，電気関係学会関西連合大会，2015年11月15日，摂南大学，大阪府
  14. 井上 泰佑，出井 良明，山根 梨江，松岡 俊匡，"非接触給電・液中微粒子操作チップのための電源電圧センサの設計"，電気関係学会関西連合大会，2015年11月15日，摂南大学，大阪府
  15. 南谷 夏海，Vu Truon Son Dao，下ノ村 和弘，江藤 剛治，鎌倉 良成，森　伸也，"モンテカルロ法による超高速イメージセンサの解析"，応用物理学会シリコンテクノロジー分科会 第185回 研究集会，2015年11月5日，機械振興会館，東京都
  16. 小川 雄己，鎌倉 良成，渡邉 孝信，"ソース・ドレイン内の不純物イオン密度増加によるSiナノワイヤトランジスタの電流ばらつきの統計的解析"，2015年9月15日，名古屋国際会議場，愛知県
  17. 小長 晃輔，小谷 岳生，鎌倉 良成，森 伸也，"GW 近似法に基づく 4H-SiC のインパクトイオン化率の計算"，応用物理学会秋季学術講演会，2015年9月14日，名古屋国際会議場，愛知県
  18. 鎌倉 良成，脇村　豪，土屋 英昭，森　伸也，"モンテカルロ法によるナノスケールFETの自己発熱解析"，応用物理学会シリコンテクノロジー分科会 第183回 研究集会，2015年7月10日，機械振興会館，東京都
  19. 森　伸也，鎌倉 良成，小田中 紳二，若谷 彰良，美里劫 夏南，鍾　菁廣，"次世代トランジスタの量子輸送シミュレーションに関する研究"，学際大規模情報基盤共同利用・共同研究拠点第７回シンポジウム，2015年7月9日，THE GRAND HALL（品川），東京都
  20. J. Bae, S. Radhapuram, I. Jo, T. Kihara, and T. Matsuoka, "A design of delta-sigma-modulator-based digitally-controlled oscillator with dynamic element matching," 映像情報メディア学会・集積回路研究会，2015年7月2-3日，防衛大学校，神奈川県
  21. 森　伸也，植松 真司，"量子輸送シミュレータとHyENEXSSの接続について"，TCADアカデミック委員会研究会，2015年5月25日，慶應義塾大学 日吉キャンパス，神奈川県
  22. 南谷 夏海，Dao Vu Truong Son，下ノ村 和弘，江藤 剛治，鎌倉 良成，"10Gfpsを目指したアバランシェ増倍型超高速撮像素子のシミュレーション解析"，映像情報メディア学会，IST，高機能イメージセンシングとその応用，2015年5月8日，東京理科大学 森戸記念館，東京都