国際会議

  1. L. T. Yen, Y. Kamakura, T. G. Etoh, and N. Mori, "Analysis of type-II InAs/GaSb superlattice mid-wavelength infrared p-i-n photodetector using device simulation," The 7th International Conference on Integrated Circuits, Design, and Verification, October 5-6, Hanoi, Vietnam
  2. T. Kuroda and N. Mori, "Resonant enhancement of band-to-band tunneling in in-plane MoS2/WS2 heterojunctions," 2017 International Conference on Solid State Devices and Materials, September 19-22, 2017, Sendai, Japan
  3. T. Hoshino and N. Mori, "Electron mobility of two-dimensional electron gas in InGaN Heterostructures: Effects of alloy disorder and random dipole scatterings," 2017 International Conference on Solid State Devices and Materials, September 19-22, 2017, Sendai, Japan
  4. F. Hashimoto and N. Mori, "Ballistic electron transport in coupled graphene nanoribbons," International Symposium on Hybrid Quantum Systems 2017, September 10-13, Miyagi-Zao, Japan
  5. Y. Kajiwara and N. Mori, "Coupled electron-phonon transport simulation of 1D nanostructures," International Symposium on Hybrid Quantum Systems 2017, September 10-13, Miyagi-Zao, Japan
  6. A. Ueno and N. Mori, "Effects of boundary condition on phonon transport in two-dimensional harmonic lattice," International Symposium on Hybrid Quantum Systems 2017, September 10-13, Miyagi-Zao, Japan
  7. N. Mori, L. Turyanska, O. Makarovsky, A. Patanè, and L. Eaves, "Monte Carlo simulation of carrier transport in hybrid graphene-quantum dot transistors," International Symposium on Hybrid Quantum Systems 2017, September 10-13, Miyagi-Zao, Japan
  8. R. Fujita, K. Konaga, Y. Ueoka, T. Kotani, Y. Kamakura, and N. Mori, "Analysis of anisotropic ionization coefficient in bulk 4H-SiC with full-band monte carlo simulation," International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices 2017, September 7-9, Kamakura, Japan
  9. G. Mil'nikov, J. Iwata, N. Mori, and A. Oshiyama, "First-principles calculations of the non-equilibrium polarization in ultra-small Si nanowire devices," International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices 2017, September 7-9, Kamakura, Japan
  10. S. Sho and S. Odanaka, "A hybrid MPI/OpenMP parallelization method for a quantum drift diffusion model," International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices 2017, September 7-9, Kamakura, Japan
  11. T. Hoshino and N. Mori, "Effects of dipole scattering on electron transport in gallium nitride-based HEMT," The 20th International Conference on Electron Dynamics in Semiconductors, Optoelectronics and Nanostructures, July 17–21, 2017, Buffalo, USA
  12. T. Kuroda and N. Mori, "Nonequilibrium Green function simulations of band-to-band tunneling in in-plane MoS2/WS2 heterostructures," The 20th International Conference on Electron Dynamics in Semiconductors, Optoelectronics and Nanostructures, July 17–21, 2017, Buffalo, USA
  13. F. Hashimoto and N. Mori, "Inter-layer coupling effects on ballistic electron transport in multilayer graphene," The 20th International Conference on Electron Dynamics in Semiconductors, Optoelectronics and Nanostructures, July 17–21, 2017, Buffalo, USA
  14. G. Mil'nikov, N. Mori, J. Iwata, and A. Oshiyama, "Equivalent model representation in first-principles transport simulations of nanowire MOSFETs," The International Workshop on Computational Nanotechnology, June 5-9, 2017, Windermere, UK
  15. T. G. Etoh, A. Q. Nguyen, Y. Kamakura, K. Shimonomura, L. T. Yen, and N. Mori, "The temporal resolution limit of the silicon image sensors," 2017 International Image Sensor Workshop, May 30 – 2 June, 2017, Hiroshima, Japan

国内会議

  1. 森 伸也,美里劫 夏南,岩田 潤一,押山 淳,"極微細トランジスタの量子輸送シミュレーション",シリコン材料・デバイス研究会(SDM),2017年11月10日,機械振興会館,東京都
  2. 桶田 修平,西村 正,鎌倉 良成,森 伸也,"ドリフト拡散シミュレータを用いたSiC-MOSFET電気特性の高精度モデル化のための基礎検討", 応用物理学会先進パワー半導体分科会第4回講演会,2017年11月1日〜2日,名古屋国際会議場,名古屋
  3. 梶原 祐磨,森 伸也,"1次元ナノ構造における電子ーフォノン相互作用を考慮した量子輸送シミュレーション",新学術領域「ハイブリッド量子科学」第五回領域会議,2017年10月12日,I-siteなんば,大阪府
  4. 橋本 風渡,森 伸也,"MoS2/Ge ファンデルワールスヘテロ接合におけるバンド間トンネル電流",新学術領域「ハイブリッド量子科学」第五回領域会議,2017年10月12日,I-siteなんば,大阪府
  5. 森 伸也,L. Turyanska,O. Makarovsky,A. Patanè,L. Eaves,"グラフェンにおけるドナー・アクセプタ散乱",新学術領域「ハイブリッド量子科学」第五回領域会議,2017年10月12日,I-siteなんば,大阪府
  6. 森 伸也,鎌倉 良成,小田中 紳二,若谷 彰良,美里劫 夏南,鍾 菁廣,"次世代トランジスタの量子輸送シミュレーションに関する研究",学際大規模情報基盤共同利用・共同研究拠点第9回シンポジウム,2017年7月13日,THE GRAND HALL(品川),東京都
  7. 鍾 菁廣,小田中 紳二,"新材料・新構造デバイス特性解析のための量子流体輸送シミュレータの開発",第2回ポスト「京」重点課題(7)研究会,2017年7月12日,東京大学 小柴ホール,東京都
  8. 岩田 潤一,美里劫 夏南,"RSDFTの新機能開発とデバイスシミュレーションへの展開:シリセンおよびシリコンナノワイヤへの応用",第2回ポスト「京」重点課題(7)研究会,2017年7月12日,東京大学 小柴ホール,東京都
  9. 美里劫 夏南,岩田 潤一,森 伸也,押山 淳,"ナノワイヤトランジスタにおける非平衡分極の影響",第2回ポスト「京」重点課題(7)研究会,2017年7月11日,東京大学 小柴ホール,東京都
  10. 森 伸也,"量子論に基づくデバイスシミュレータの開発",第30期CAMMフォーラム 本例会,2017年6月2日,アイビーホール,東京都

国際会議

  1. T. Irisawa, T. Mori, T. Kuroda, and N. Mori, "Mobility analysis and BTBT simulation of TMDC 2D devices," International Workshop on 2D Materials and Devices beside Platanus, March 22, 2017, Kanagawa, Japan
  2. F. Hashimoto and N. Mori, "Ballistic transport characteristics of multilayer graphene," Project Meeting on MEXT, "Hybrid Quantum Systems" Project, February 27 - March 2, 2017, Wako, Japan
  3. N. Mori, "Mobility enhancement of graphene by spatially correlated charges," Project Meeting on MEXT, "Hybrid Quantum Systems" Project, February 27 - March 2, 2017, Wako, Japan
  4. G. Mil'nikov, "R-matrix and basis representation in quantum transport simulations," International Workshop on Massively Parallel Programming for Quantum Chemistry and Physics 2017, January 9-10, 2017, Kobe, Japan
  5. T. G. Etoh, Q. A. Nguyen, K. Shimonomura, L. T. Yen, Y. Kamakura, "The Upper-bound frame rate of silicon image sensors," 31st International Congress on High-Speed Imaging and Phtonics, November 7-10, 2016, Osaka, Japan
  6. K. Shimonomura, Q. A. Nguyen, L. T. Yen, Y. Kamakura, T. G. Etoh, "Simulation analysis of temporal resolution in BSIMCG image sensor," 31st International Congress on High-Speed Imaging and Phtonics, November 7-10, 2016, Osaka, Japan
  7. O. Kubo, N. Mori, H. Tabata, and M. Katayama, "Electronic properties of nanoribbons: Graphenen and silicene," 13th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures, October 9-15, 2016, Rome, Italy
  8. R. Suda, M. Yagi, A. Kojima, N. Mori, J. Shirakashi, and N. Koshida, "Criterion for ballisticelectron printing of thin metal and group IV films," 2016 International Conference on Solid State Devices and Materials, September 27-29, 2016, Tsukuba, Japan
  9. N. Mori, "Recent progress in NEGF simulation of electron and phonon transport in nano-devices," Short Course, 2016 International Conference on Solid State Devices and Materials, September 26, 2016, Tsukuba, Japan
  10. Y. Kamakura, R. Fujita, K. Konaga, Y. Ueoka, N. Mori, and T. Kotani, "Full band Monte Carlo simulation of impact ionization in wide bandgap semiconductors based on ab initio calculation," International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices 2016, September 6, 2016, Nuremberg, Germany
  11. F. Hashimoto, N. Mori, O. Kubo, and M. Katayama, "Electronic states of coupled armchair-edge nanoribbon arrays," The 33rd International Conference on the Physics of Semiconductors, July 31- August 5, 2016, Beijing, China
  12. O. Makarovsky, L. Turyanska, S. A. Svatek, P. H. Beton, C. J. Mellor, A. Patanè, L. Eaves, N. R. Thomas, M. W. Fay, A. J. Marsden, N. R. Wilson, and N. Mori, "Hybrid graphene-quantum dot transistor: Controlling carrier concentration, mobility and photoresponsivity," The 33rd International Conference on the Physics of Semiconductors, July 31- August 5, 2016, Beijing, China
  13. F. Hashimoto, N. Mori, O. Kubo, and M. Katayama, "Electronic states of zigzag-edge nanoribbon lateral superlattices under magnetic fields," The 22nd International Conference on High Magnetic Fields in Semiconductor Physics, July 24-29, 2016, Hokkaido, Japan
  14. L. T. Yen, N. Minamitani, Y. Kamakura, and T. G. Etoh, "Analysis of ultra-high-speed image sensor based on drift-diffusion model," The 2016 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai, June 23-24, 2016, Kyoto, Japan
  15. M. Shirasawa, M. Dlamini, and Y, Kamakura, "Kinetic Monte Carlo simulation for switching probability of ReRAM," The 2016 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai, June 23-24, 2016, Kyoto, Japan
  16. N. Mori, G. Mil'nikov, J. Iwata, and A. Oshiyama, "R-matrix theory and real space DFT simulation of Si nanowire transistors," The 18th International Symposium on the Physics of Semiconductors and Applications, July 3-7, 2016, Jeju, Korea
  17. L. Turyanska, O. Makarovsky, P. H. Beton, C. J. Mellor, A. Patanè, L. Eaves, M. W. Fay, A. J. Marsden, N. R. Wilson, and N. Mori, "Hybrid graphene-quantum dot transistor: Controlling carrier concentration, mobility, and photoresponsivity," The 7th UK-Japan Symposium on Fundamental Research Advances in Carbon Nanomaterials, June 13, 2016, Burlington House, UK
  18. L. Turyanska, O. Makarovsky, S. A. Svatek, P. H. Beton, C. J. Mellor, A. Patanè, L. Eaves, N. R. Thomas, M. W. Fay, A. J. Marsden, N. R. Wilson, and N. Mori, "Hybrid graphene-quantum dot transistor: Controlling carrier concentration, mobility and photoresponsivity," The 9th International Conference on Quantum Dots, May 22-27, 2016, Jeju, Korea

国内会議

  1. 梶原 祐磨,森 伸也,"非平衡グリーン関数法を用いた1次元ナノ構造の熱電特性解析",第64回応用物理学会春季学術講演会,2017年3月16日,パシフィコ横浜,神奈川県
  2. 黒田 龍哉,森 伸也,"TMDCヘテロ接合におけるバンド間トンネル電流のNEGF解析",第64回応用物理学会春季学術講演会,2017年3月16日,パシフィコ横浜,神奈川県
  3. 橋本 風渡,森 伸也,"層間相互作用が多層グラフェンの電子輸送特性に及ぼす影響",第64回応用物理学会春季学術講演会,2017年3月15日,パシフィコ横浜,神奈川県
  4. 星野 知輝,森 伸也,"窒化物半導体HEMTの電子輸送特性に双極子散乱が及ぼす影響",第64回応用物理学会春季学術講演会,2017年3月14日,パシフィコ横浜,神奈川県
  5. 牧平 真太朗,森 伸也,"広い禁止帯を持つ半導体の衝突電離過程における散乱内電界効果",第64回応用物理学会春季学術講演会,2017年3月14日,パシフィコ横浜,神奈川県
  6. 森 伸也,黒田 龍哉,"遷移金属ダイカルコゲナイドヘテロ接合におけるバンド間トンネル電流",応用物理学会関西支部セミナー,2017年3月2日,大阪大学 吹田キャンパス,大阪府
  7. 鎌倉 良成,"フルバンドモンテカルロ法によるダイヤモンドのイオン化係数の解析",一般社団法人ニューダイヤモンドフォーラム 平成28年度第3回研究会,2017年2月27日,早稲田大学西早稲田キャンパス,東京都
  8. 橋本 風渡,森 伸也,"非平衡グリーン関数法を用いた多層グラフェンの輸送特性解析",第22回電子デバイス界面テクノロジー研究会,2017年1月20日,東レ研修センター,静岡県
  9. 勇 正大,松岡 俊匡,"FPGAエミュレーションによる並列型確率的A/D変換器のシステムレベル検証",電気学会電子回路研究会,2017年1月19日,大牟田商工会議所,福岡県
  10. 森 伸也,美里劫 夏南,岩田 潤一,押山 淳,"R行列理論を用いたRSDFT-NEGFデバイスシミュレータの開発",第2回ポスト「京」重点課題(7)研究会,2016年12月6日,東京大学物性研究所柏キャンパス,千葉県
  11. 鎌倉 良成,藤田 流星,小長 晃輔,上岡 良季,小谷 岳生,森  伸也,鍾 菁廣,小田中 紳二,廣木 彰,佐野 伸行,"フルバンドモンテカルロ法によるアバランシェ破壊解析",第2回ポスト「京」重点課題(7)研究会,2016年12月6日,東京大学物性研究所柏キャンパス,千葉県
  12. 勇 正大,松岡俊匡,"FPGAを用いた並列型確率的A/D変換器のシステム検証手法に関する研究",電子情報通信学会 集積回路研究会,2016年11月30日,立命館大学 大阪いばらきキャンパス,大阪
  13. 井上 泰佑,勇 正大,松岡 俊匡,"非接触給電・液中微粒子操作チップのための電源電圧センサの設計",電気関係学会関西連合大会,2016年11月22日,大阪府立大学,大阪府
  14. 森 伸也,美里劫 夏南,岩田 潤一,押山 淳,"非平衡グリーン関数法と第一原理RSDFT法によるナノワイヤトランジスタのデバイスシミュレーション",新機能デバイス・高性能材料のための産官学連携フォーラム 第2回会合,2016年11月14日,東京大学本郷キャンパス,東京
  15. 森 伸也,"新材料半導体電子デバイス",第306回電気材料技術懇談会,2016年11月4日,大阪大学中之島センター,大阪
  16. 桶田 修平,西村 正,鎌倉 良成,"SiC-MOSFETにおける伝導帯近傍のドナー型トラップが電気特性に与える影響のシミュレーション解析",応用物理学会秋季学術講演会,2016年9月16日,朱鷺メッセ,新潟県
  17. 濱田 健斗,鎌倉 良成,"モンテカルロ法によるシリコンナノ構造の熱電特性シミュレーション",応用物理学会秋季学術講演会,2016年9月15日,朱鷺メッセ,新潟県
  18. 白澤 利隆,Dlamini Mlandeli,鎌倉 良成,"抵抗変化型メモリのスイッチング確率のモンテカルロシミュレーション",応用物理学会秋季学術講演会,2016年9月14日,朱鷺メッセ,新潟県
  19. 橋本 風渡,森 伸也,久保 理,片山 光浩,"磁場中におけるジグザグ端ナノリボン列の電子状態解析",応用物理学会秋季学術講演会,2016年9月13日,朱鷺メッセ,新潟県
  20. 橋本 風渡,森 伸也,久保 理,片山 光浩,"強磁場下に置かれたナノリボン列の電子状態",ハイブリッド量子科学 第一回若手研究会・第三回領域会議,2016年8月24-25日,東京理科大学 神楽坂キャンパス,東京都
  21. 藤田 流星,小長 晃輔,上岡 良季,小谷 岳生,鎌倉 良成,森 伸也,"フルバンドモンテカルロ法による4H-SiCの高電界電子輸送シミュレーション",応用物理学会シリコンテクノロジー分科会 第193回 研究集会,2016年7月29日,機械振興会館,東京都
  22. 森 伸也,美里劫 夏南,鎌倉 良成,鍾 菁廣,小田中 紳二,岩田 潤一,押山 淳,"新材料からの量子論デバイス創製シミュレータ開発",第1回ポスト「京」重点課題(7)研究会,2016年7月22日,東京大学 小柴ホール,東京都
  23. 美里劫 夏南,森 伸也,"ナノワイヤトランジスタシミュレーションのためのランダム行列フォノンモデル",第1回ポスト「京」重点課題(7)研究会,2016年7月21日,東京大学 小柴ホール,東京都
  24. 森 伸也,鎌倉 良成,小田中 紳二,若谷 彰良,美里劫 夏南,鍾 菁廣,"次世代トランジスタの量子輸送シミュレーションに関する研究",学際大規模情報基盤共同利用・共同研究拠点第8回シンポジウム,2016年7月14日,THE GRAND HALL(品川),東京都

国際会議

  1. O. Kubo , R. Omura, N. Nakashima, M. Shigehara, R. Kuga, H. Tabata, N. Mori, and M. Katayama, "Distribution of local density of states on silicene nanoribbon array," 23rd International Colloquium on Scanning Probe Microscopy, December 10-12, 2015
  2. H. Minari, G. Pourtois, and N. Mori, "Applications of atomistic simulations to the development of advanced electronic devices," 25th Annual Meeting of MRS-J, December 8-10, 2015, Yokohama, Japan
  3. Y. Kamakura, T. Kotani, K. Konaga, N. Minamitani, G. Wakimura, and N. Mori, "Ab initio study of avalanche breakdown in diamond for power device applications," 2015 IEEE International Electron Devices Meeting, December 7-9, 2015, Washington, USA
  4. K. Konaga, T. Kotani, R. Fujita, Y. Kamakura, and, N. Mori, "Theoretical calculation of impact ionization rate for 4H-SiC in the GW approximation," International Symposium on Advanced Nanodevices and Nanotechnology, November 29-December 4, 2015, Waikoloa, Hawaii
  5. N. Minamitani, V. T. S. Dao, K. Shimonomura, T. G. Etoh, Y. Kamakura, and N. Mori, "Analysis of ultra-high-speed image sensor with Monte Carlo simulation," International Symposium on Advanced Nanodevices and Nanotechnology, November 29-December 4, 2015, Waikoloa, Hawaii
  6. F. Hashimoto, N. Mori, O. Kubo, and M. Katayama, "Electronic structures of zigzag-edge nanoribbon lateral superlattices," International Symposium on Advanced Nanodevices and Nanotechnology, November 29-December 4, 2015, Waikoloa, Hawaii
  7. O. Kubo, R. Omura, N. Nakashima, M. Shigehara, R. Kuga, H. Tabata, N. Mori and M. Katayama, "Mapping of local electronic density of states of silicene nanoribbons using scanning tunneling microscope," 28th International Microprocesses and Nanotechnology Conference, November 10-13, 2015, Toyama, Japan
  8. N. Nakashima, R. Omura, M. Shigehara, R. Kuga, H. Tabata, N. Mori, O. Kubo, and M. Katayama, "Differential conductance mapping of silicene nanoribbons on Ag(110)," 10th International Symposium on Atomic Level Characterizations for New Materials and Devices '15, October 25-30, 2015, Matsue, Japan
  9. J. Bae, S. Radhapuram, I. Jo, T. Kihara, and T. Matsuoka, "A low-voltage design of controller-based ADPLL for implantable biomedical devices,," 2015 IEEE Biomedical Circuits and Systems Conference, October 22-24, 2015, Atlanta, USA
  10. J. Bae, S. Radhapuram, I. Jo, T. Kihara, and T. Matsuoka, "A low-voltage design of digitally-controlled oscillator based on the gm/ID methodology," 2015 IEEE International Symposium on Radio-Frequency Integration Technology, August 26-28, 2015, Sendai, Japan
  11. N. Mori, R. Hill, A. Patanè, and L. Eaves, "Monte Carlo study on anomalous carrier diffusion in inhomogeneous semiconductors," 19th International Conference on Electron Dynamics in Semiconductors, Optoelectronics and Nanostructures, June 29 - July 2, 2015, Salamanca, Spain
  12. C. Clendennen, N. Mori, and H. Tsuchiya, "Comparative simulation study of graphene, silicene, and germanene nanoribbon FETs," 19th International Conference on Electron Dynamics in Semiconductors, Optoelectronics and Nanostructures, June 29 - July 2, 2015, Salamanca, Spain
  13. N. Koshida, R. Mentek, A. Kojima, N. Ikegami, R. Suda, M. Yagi, N. Mori, and J. Shirakashi, "Functional applications of nanostructured silicon," Collaborative Conference on 3D and Materials Research 2015, June 15-19, 2015, Busan, South Korea
  14. F. Hashimoto and N. Mori, "Effects of internal electric field on efficiency of carrier multiplication solar cells," 2015 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai, June 4-5, 2015, Kyoto, Japan
  15. G. Wakimura, T. Matsuoka, and Y. Kamakura, "A simulation study on soft error rate in STT-MRAM," 2015 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai, June 4-5, 2015, Kyoto, Japan
  16. N. Koshida, R. Suda, M. Yagi, N. Mori , and J. Shirakashi, "Thin film deposition based on reduction effect of ballistic hot electrons," International Conference on Nanotechnology, Nanomaterials & Thin Films for Energy Applications, June 1-3, 2015, Manchester, UK
  17. Y. Kamakura, "Monte Carlo simulation of electrothermal transport in nanoscale FETs," 2015 Osaka University-NCTU Joint Workshop on Modeling and Simulation of Semiconductor Devices, May 11-13, NCTU & tsmc, Taiwan
  18. N. Mori, "NEGF simulation of nanowire transistors," 2015 Osaka University-NCTU Joint Workshop on Modeling and Simulation of Semiconductor Devices, May 11-13, 2015, NCTU & tsmc, Taiwan

国内会議

  1. 橋本 風渡,森 伸也,久保 理,片山 光浩,"弱く結合したジグザグ端ナノリボン列の電子状態解析",第63回応用物理学会春季学術講演会,2016年3月21日,東京工業大学 大岡山キャンパス,東京都
  2. 藤田 流星,小長 晃輔,小谷 岳生,鎌倉 良成,森 伸也,"フルバンドモンテカルロ法による4H-SiCの高電界電子輸送シミュレーション",第63回応用物理学会春季学術講演会,2016年3月21日,東京工業大学 大岡山キャンパス,東京都
  3. 上野 晃弘,小池 慎治,森 伸也,"フォノン輸送シミュレーションにおける境界条件の影響",第63回応用物理学会春季学術講演会,2016年3月19日,東京工業大学 大岡山キャンパス,東京都
  4. 美里劫 夏南,森 伸也,"ランダム行列フォノンモデルに基づくNEGFシミュレーション",第63回応用物理学会春季学術講演会,2016年3月19日,東京工業大学 大岡山キャンパス,東京都
  5. E. M. Dlamini, M. Shirasawa, Y. Kamakura,"Simulation study for pulse switching probability of ReRAM",第63回応用物理学会春季学術講演会,2016年3月19日,東京工業大学 大岡山キャンパス,東京都
  6. 勇 正大,鎌田 隆嗣,裵 正男,谷 貞宏,王 軍,大原 賢治,松岡 俊匡,"遺伝的アルゴリズムによる無線送信集積回路の送信特性向上手法の検討",マイクロ波研究会・集積回路研究会,2016年3月4日,広島大学,広島県
  7. 森 伸也,上野 晃弘,小池 慎治,"2次元系の電子・フォノン輸送シミュレーション",新学術領域「ハイブリッド量子科学」第2回領域会議,2016年3月3日,中之島センター,大阪
  8. 橋本 風渡,森 伸也,久保 理,片山 光浩,"結合したナノリボン列の電子状態解析",新学術領域「ハイブリッド量子科学」第2回領域会議,2016年3月2日,中之島センター,大阪
  9. 西村 正,"ワイドギャップ半導体パワーデバイスとシミュレーション技術",応用物理学会関西支部セミナー,2016年1月29日,大阪大学 吹田キャンパス,大阪府
  10. 小長 晃輔,小谷 岳生,藤田 流星,鎌倉 良成,森 伸也,"GW近似法に基づく4H-SiCのインパクトイオン化率の計算",STARCフォーラム2015,2015年11月27日,横浜,神奈川県
  11. 西村 正,"パワーデバイスの初歩",パワーデバイスの基礎に関する技術講演会,2015年11月24日,大阪大学 吹田キャンパス,大阪府
  12. 森 伸也,"極微細半導体デバイスの量子輸送シミュレーション",2015年11月18日,電子情報技術産業協会,東京都
  13. 浅野 智大,平井 雄作,谷 貞宏,矢野 新也,趙 益均,松岡 俊匡,"並列型確率的A/D変換器の線形性向上手法に関する研究",電気関係学会関西連合大会,2015年11月15日,摂南大学,大阪府
  14. 井上 泰佑,出井 良明,山根 梨江,松岡 俊匡,"非接触給電・液中微粒子操作チップのための電源電圧センサの設計",電気関係学会関西連合大会,2015年11月15日,摂南大学,大阪府
  15. 南谷 夏海,Vu Truon Son Dao,下ノ村 和弘,江藤 剛治,鎌倉 良成,森 伸也,"モンテカルロ法による超高速イメージセンサの解析",応用物理学会シリコンテクノロジー分科会 第185回 研究集会,2015年11月5日,機械振興会館,東京都
  16. 小川 雄己,鎌倉 良成,渡邉 孝信,"ソース・ドレイン内の不純物イオン密度増加によるSiナノワイヤトランジスタの電流ばらつきの統計的解析",2015年9月15日,名古屋国際会議場,愛知県
  17. 小長 晃輔,小谷 岳生,鎌倉 良成,森 伸也,"GW 近似法に基づく 4H-SiC のインパクトイオン化率の計算",応用物理学会秋季学術講演会,2015年9月14日,名古屋国際会議場,愛知県
  18. 鎌倉 良成,脇村 豪,土屋 英昭,森 伸也,"モンテカルロ法によるナノスケールFETの自己発熱解析",応用物理学会シリコンテクノロジー分科会 第183回 研究集会,2015年7月10日,機械振興会館,東京都
  19. 森 伸也,鎌倉 良成,小田中 紳二,若谷 彰良,美里劫 夏南,鍾 菁廣,"次世代トランジスタの量子輸送シミュレーションに関する研究",学際大規模情報基盤共同利用・共同研究拠点第7回シンポジウム,2015年7月9日,THE GRAND HALL(品川),東京都
  20. J. Bae, S. Radhapuram, I. Jo, T. Kihara, and T. Matsuoka, "A design of delta-sigma-modulator-based digitally-controlled oscillator with dynamic element matching," 映像情報メディア学会・集積回路研究会,2015年7月2-3日,防衛大学校,神奈川県
  21. 森 伸也,植松 真司,"量子輸送シミュレータとHyENEXSSの接続について",TCADアカデミック委員会研究会,2015年5月25日,慶應義塾大学 日吉キャンパス,神奈川県
  22. 南谷 夏海,Dao Vu Truong Son,下ノ村 和弘,江藤 剛治,鎌倉 良成,"10Gfpsを目指したアバランシェ増倍型超高速撮像素子のシミュレーション解析",映像情報メディア学会,IST,高機能イメージセンシングとその応用,2015年5月8日,東京理科大学 森戸記念館,東京都